5 引脚配置和功能

图 5-1 BQ25758S，RRV 封装 36 引脚 VQFN 顶视图

表 5-1 引脚功能

引脚		I/O	说明
名称	编号	I/O	说明
SCL	1	DI	I²C 接口时钟 – 通过 10kΩ 电阻器将 SCL 连接到逻辑轨。
SDA	2	DIO	I²C 接口数据 – 通过 10kΩ 电阻器将 SDA 连接到逻辑轨。
INT	3	DO	开漏中断输出 – 通过 10kΩ 电阻器将 INT 引脚连接到逻辑轨。INT 引脚向主机发送一个低电平有效的 256μs 脉冲，以报告控制器器件状态和故障。
STAT	4	DO	开漏状态输出 – 通过 10kΩ 电阻器连接至上拉电源轨。当 DIS_STAT_PIN 位设置为 1 时，可以禁用 STAT 引脚功能。禁用后，该引脚可通过 FORCE_STAT_ON 位用作通用指示器。
NC	5	-	未连接 - 将此引脚悬空，不要连接到 PGND
PG/STAT3	6	DO	开漏低电平有效电源正常状态指示器 – 通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。如果 VAC 处于编程的 ACUV/ACOV 工作窗口之内，则 LOW 表示输入源良好。当 DIS_PG_PIN 位设置为 1 时，可以禁用 PG 引脚功能。禁用后，该引脚可通过 FORCE_STAT3_ON 位用作通用指示器。
CE/STAT4	7	DIO	低电平有效使能引脚 – 当 EN_CHG 位为 1 且 CE 引脚为低电平时，会启用电源转换。必须将 CE 引脚拉至高电平或低电平，不要保持悬空。当 DIS_CE_PIN 位设置为 1 时，可以禁用 CE 引脚功能。禁用后，该引脚可通过 FORCE_STAT4_ON 位用作通用指示器。
TS/NC	8	AI	温度鉴定电压输入 – 此引脚的功能通常被禁用。如果不需要，请将该引脚保持悬空。要启用引脚功能，请将 EN_TS 寄存器位设置为 1。连接一个负温度系数热敏电阻。使用从 REGN 到 TS 再到 PGND 的电阻分压器对温度窗口进行编程。当 TS 引脚电压超出范围时，电源转换暂停。建议使用 103AT-2 10kΩ 热敏电阻。
IOUT	9	AI	输出电流限制设置 – IOUT 引脚设置最大输出电流，并可用于监测输出电流。连接到 PGND 的编程电阻用于将输出电流限制设置为 I_IOUT = K_IOUT/R_IOUT。当器件处于输出电流调节状态时，IOUT 引脚电压为 V_{REF_IOUT}。当 IOUT 引脚电压小于 V_{REF_IOUT} 时，实际输出电流可按下式计算：IOUT = K_IOUT x V_IOUT / ( R_IOUT x V_{REF_IOUT})。实际输出电流限制是 IOUT 引脚或 IOUT_REG 寄存器位设置的限制中的较低者。当 EN_IOUT_PIN 位为 0 时，可以禁用该引脚功能。如果不使用 IOUT 引脚，该引脚应拉至 PGND，不要悬空。
IIN	10	AI	输入电流限制设置 – IIN 引脚设置最大输入电流，并可用于监测输入电流。连接到 PGND 的编程电阻用于将输入电流限制设置为 I_LIM = K_ILIM/R_IIN。当器件处于输入电流调节状态时，IIN 引脚上的电压为 V_{REF_IILIM}。当 IIN 引脚电压小于 V_{REF_ILIM} 时，实际输入电流可按下式计算：IAC = K_ILIM x V_IIN / ( R_IIN x V_{REF_ILIM})。实际输入电流限制是 IIN 引脚或 IAC_DPM 寄存器位设置的限制中的较低者。当 EN_IIN_PIN 位为 0 时，可以禁用该引脚功能。如果不使用 IIN 引脚，该引脚应拉至 PGND，不要悬空。
NC	11	-	未连接 - 将此引脚悬空，不要连接到 PGND
VO_SNS	12	AI	输出电压检测 – 开尔文直接连接到输出电压调节点。
SRN	13	AI	电流检测电阻，负输入 – 在 SRN 和 SRP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 SRN 引脚和 PGND 之间放置一个可选的 0.1μF 陶瓷电容器，实现共模滤波。
SRP	14	AI	电流检测电阻，正输入 – 在 SRN 和 SRP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 SRP 引脚和 PGND 之间放置一个 0.1μF 陶瓷电容器，实现共模滤波。
NC	15	-	未连接 - 将此引脚悬空，不要连接到 PGND
NC	16	-	未连接 - 将此引脚悬空，不要连接到 PGND
模式	17	AI	模式编程电阻 – 在该引脚与 PGND 之间连接一个电阻器，以便在降压/升压或仅降压操作之间进行选择。请参考 MODE 引脚配置部分了解更多详细信息。
SW2	18	AI	升压侧半桥开关节点 –
HIDRV2	19	AO	升压侧高侧栅极驱动器 – 连接到升压高侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
BTST2	20	P	升压侧高侧功率 MOSFET 栅极驱动器电源 – 在 BTST2 和 SW2 之间连接一个电容器，为高侧 MOSFET 栅极驱动器提供偏置。
LODRV2	21	AO	升压侧低侧栅极驱动器 – 连接到升压低侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
PGND	22	-	电源接地回路 – 低侧栅极驱动器的高电流接地连接。
DRV_SUP	23	P	栅极驱动电源输入 – 该引脚上的电压用于驱动降压/升压转换器开关 FET 的栅极。在 DRV_SUP 和电源地之间连接一个 4.7μF 陶瓷电容器。通过将 REGN 连接到 DRV_SUP 引脚，REGN LDO 电压可用作所有开关 FET 的栅极驱动器电源。在高压应用中，可以通过外部电源直接提供高达 12V 的 DRV_SUP 电压，以实现更高的开关效率。有关更多详细信息，请参阅节 7.3.3.3。
REGN	24	P	内部线性稳压器输出 – 在 REGN 与电源地之间连接一个 4.7μF 陶瓷电容器。通过将 REGN 连接到 DRV_SUP 引脚，REGN LDO 电压可用作所有开关 FET 的栅极驱动器电源。在高压应用中，可以通过外部电源直接提供高达 12V 的 DRV_SUP 电压，以实现更高的开关效率。有关更多详细信息，请参阅节 7.3.3.3。
LODRV1	25	AO	降压侧低侧栅极驱动器 – 连接到降压低侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
BTST1	26	P	降压侧高侧功率 MOSFET 栅极驱动器电源 – 在 BTST1 和 SW1 之间连接一个电容器，为高侧 MOSFET 栅极驱动器提供偏置。
HIDRV1	27	AO	降压侧高侧栅极驱动器 – 连接到降压高侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
SW1	28	AI	升压侧半桥开关节点 –
ACN	29	AI	适配器电流检测电阻，负输入 – 在 ACN 和 ACP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 ACN 引脚和 PGND 之间放置一个可选的 0.1μF 陶瓷电容器，实现共模滤波。
ACP	30	AI	适配器电流检测电阻，正输入 – 在 ACN 和 ACP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 ACP 引脚和 PGND 之间放置一个 0.1μF 陶瓷电容器，实现共模滤波
NC	31	-	未连接 - 将此引脚悬空，不要连接到 PGND
VAC	32	P	输入电压检测和电源 - VAC 是为 IC 供电的输入偏置。在引脚和 PGND 之间连接一个 1µF 电容器。启用反向模式时，引脚 32 被调节为 VAC_REV。
VAC	33	P
ACUV	34	AI	VAC 欠压比较器输入 – 在 VAC 和 PGND 之间连接一个电阻分压器以对欠压保护进行编程。当该引脚降至 V_{REF_ACUV} 以下时，器件停止运行。输入电压调节基准的硬件限制为 V_{ACUV_DPM}。实际输入电压调节设置是引脚编程值和 VAC_DPM 寄存器值中的较高者。如果不使用 ACUV 编程，则将该引脚拉至 VAC，不要悬空。
ACOV	35	AI	VAC 过压比较器输入 – 在 VAC 和 PGND 之间连接一个电阻分压器以对过压保护进行编程。当该引脚升至 V_{REF_ACOV} 以上时，器件停止运行。如果不使用 ACOV 编程，则将该引脚拉至 PGND，不要悬空。
FSW_SYNC	36	DAI	开关频率和同步输入 – 将外部电阻连接到 FSW_SYNC 引脚和 PGND 以设置标称开关频率。该引脚还可用于将 PWM 控制器与外部时钟进行同步。
散热焊盘	37	-	IC 下方的裸露焊盘 – 始终将散热焊盘焊接到电路板上，并在散热焊盘平面上通过过孔星形连接到 PGND 和大电流电源转换器的接地平面。它还用作散热焊盘以进行散热。