ZHCSX48 July   2024 BQ25820

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性 (BQ25820)
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 器件上电复位
      2. 7.3.2 无输入源时通过电池实现器件上电
      3. 7.3.3 通过输入源实现器件上电
        1. 7.3.3.1 VAC 操作窗口编程（ACUV 和 ACOV）
        2. 7.3.3.2 MODE 引脚配置
        3. 7.3.3.3 REGN 稳压器 (REGN LDO)
        4. 7.3.3.4 开关频率和同步 (FSW_SYNC)
        5. 7.3.3.5 器件高阻态模式
      4. 7.3.4 电池充电管理
        1. 7.3.4.1 自主充电周期
          1. 7.3.4.1.1 充电电流编程（ICHG 引脚和 ICHG_REG）
        2. 7.3.4.2 锂离子电池充电曲线
        3. 7.3.4.3 磷酸铁锂电池充电曲线
        4. 7.3.4.4 锂离子和磷酸铁锂电池的充电终止
        5. 7.3.4.5 充电安全计时器
        6. 7.3.4.6 热敏电阻认证
          1. 7.3.4.6.1 充电模式下的 JEITA 指南合规性
          2. 7.3.4.6.2 反向模式下的冷/热温度窗口
      5. 7.3.5 电源路径管理
        1. 7.3.5.1 动态电源管理：输入电压和输入电流调节
          1. 7.3.5.1.1 输入电流调节
            1. 7.3.5.1.1.1 ILIM_HIZ 引脚
          2. 7.3.5.1.2 输入电压调节
            1. 7.3.5.1.2.1 用于太阳能 PV 电池板的最大功率点跟踪 (MPPT)
      6. 7.3.6 反向模式电源方向
      7. 7.3.7 用于监测的集成 16 位 ADC
      8. 7.3.8 状态输出（PG、STAT1、STAT2 和 INT）
        1. 7.3.8.1 电源正常状态指示器 (PG)
        2. 7.3.8.2 充电状态指示器（STAT1、STAT2 引脚）
        3. 7.3.8.3 主机中断 (INT)
      9. 7.3.9 串行接口
        1. 7.3.9.1 数据有效性
        2. 7.3.9.2 START 和 STOP 条件
        3. 7.3.9.3 字节格式
        4. 7.3.9.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 7.3.9.5 目标地址和数据方向位
        6. 7.3.9.6 单独写入和读取
        7. 7.3.9.7 多个写入和多个读取
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 主机模式和默认模式
      2. 7.4.2 复位寄存器位
    5. 7.5 BQ25820 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 典型应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 ACUV/ACOV 输入电压运行窗口编程
          2. 8.2.1.2.2 充电电压选择
          3. 8.2.1.2.3 开关频率选择
          4. 8.2.1.2.4 电感器选型
          5. 8.2.1.2.5 输入 (VAC/SYS) 电容器
          6. 8.2.1.2.6 输出 (VBAT) 电容器
          7. 8.2.1.2.7 检测电阻（RAC_SNS 和 RBAT_SNS）和电流编程
          8. 8.2.1.2.8 功率 MOSFET 选择
          9. 8.2.1.2.9 ACFET 和 BATFET 选择
        3. 8.2.1.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RRV|36
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

10.1 布局指南

为了防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题，采用合适的元件布局来尽可能简化高频电流路径环路非常重要。以下是正确布局的 PCB 布局优先级列表。

表 10-1 PCB 布局指南
元件 功能 影响 指南
降压高侧 FET、降压低侧 FET、输入电容器 降压输入环路 高频噪声、纹波、效率 由于降压输入端的脉动电流，该路径形成高频开关环路。将元件放置在电路板的同一侧。更大限度地减小环路面积以减小寄生电感。更大限度地增加引线宽度以减小寄生电阻。将输入陶瓷电容器放置在靠近开关 FET 的位置。
检测电阻、开关 FET、电感器 电流路径 效率 通过功率级和检测电阻器从输入到输出的电流路径具有低阻抗。请留意过孔电阻是否不在同一侧。对于 1oz 铜厚度的 10mil 过孔，过孔数量可估算出每个过孔 1A 至 2A。
开关 FET、电感器 功率级 热性能、效率 开关 FET 和电感器是功率损耗最高的元件。留出足够的铜面积来散热。多个散热过孔可用于将更多铜层连接在一起并散发更多热量。
DRV_SUP、BTST1 电容器 开关 FET 栅极驱动 高频噪声、寄生振铃、栅极驱动完整性 DRV_SUP 电容器用于提供驱动低侧 FET 的电源。BTST 电容器用于驱动高侧 FET。建议将电容器尽可能靠近 IC 放置。
LODRV1 低侧栅极驱动 高频噪声、寄生振铃、栅极驱动完整性 LODRV1 提供栅极驱动电流以导通低侧 FET。LODRV1 返回至 PGND。由于电流采用阻抗最小的路径，因此建议使用靠近低侧栅极驱动引线的接地平面。更大限度地减小栅极驱动长度并争取实现至少 20mil 的栅极驱动引线宽度。
HIDRV1、SW1（引脚引线） 高侧栅极驱动 高频噪声、寄生振铃、栅极驱动完整性 HIDRV1 提供栅极驱动电流以导通高侧 FET。HIDRV1 分别返回至 SW1。将 HIDRV1/SW1 对彼此相邻布线，以减小栅极驱动寄生电感。更大限度地减小栅极驱动长度并争取实现至少 20mil 的栅极驱动引线宽度。
限流电阻器、FSW_SYNC 电阻器 IC 可编程设置 调节精度、开关完整性 引脚电压决定输入电流限制、输出电流限制和开关频率的设置。这些引脚上的接地噪声可能会导致不准确。更大限度地减小从这些电阻器到 IC 接地引脚的接地回路。
输入（ACP、ACN）和输出（SRP、SRN）电流检测 电流调节 调节精度 对输入和输出电流检测电阻使用开尔文检测技术。将电流检测引线连接到焊盘的中心，并将电流检测引线作为差分对进行排布，使其远离开关节点。
输入 (ACUV) 和输出（FB、VO_SNS）电压检测 电压检测和调节 调节精度 ACUV 分压器设置正向模式下的内部输入电压调节 (VACUV_DPM)。FB 分压器设置正向模式下的电池电压调节 (VFB_ACC)。将分压器点的顶部排布至目标调节位置。避免在靠近大功率开关节点的位置布线。
旁路电容器 噪声滤波器 噪声抗扰度 容值最小的电容器要最靠近 IC 放置。

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