5 引脚配置和功能

图 5-1 BQ25820，RRV 封装 36 引脚 VQFN 顶视图

表 5-1 引脚功能

引脚		I/O	说明
名称	编号	I/O	说明
SCL	1	I	I²C 接口时钟 – 通过 10kΩ 电阻器将 SCL 连接到逻辑轨。
SDA	2	IO	I²C 接口数据 – 通过 10kΩ 电阻器将 SDA 连接到逻辑轨。
INT	3	O	开漏中断输出 – 通过 10kΩ 电阻器将 INT 引脚连接到逻辑轨。INT 引脚向主机发送一个低电平有效的 256μs 脉冲，以报告充电器器件状态和故障。
STAT1	4	O	开漏充电状态 1 输出 – STAT1 和 STAT2 表示各种充电器操作，请参阅表 7-6。通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。当 DIS_STAT_PINS 位设置为 1 时，可以禁用 STAT1、STAT2 引脚功能。禁用后，该引脚可通过 FORCE_STAT1_ON 位用作通用指示器。
STAT2	5	O	开漏充电状态 2 输出 – STAT1 和 STAT2 表示各种充电器操作，请参阅表 7-6。通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。当 DIS_STAT_PINS 位设置为 1 时，可以禁用 STAT1、STAT2 引脚功能。禁用后，该引脚可通过 FORCE_STAT2_ON 位用作通用指示器。
PG	6	O	开漏低电平有效电源正常状态指示器 – 通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。如果 VAC 处于编程的 ACUV/ACOV 工作窗口之内，则 LOW 表示输入源良好。当 DIS_PG_PIN 位设置为 1 时，可以禁用 PG 引脚功能。禁用后，该引脚可通过 FORCE_STAT3_ON 位用作通用指示器。
CE	7	IO	低电平有效充电使能引脚 – 当 EN_CHG 位为 1 且 CE 引脚为低电平时，会启用电池充电。必须将 CE 引脚拉至高电平或低电平，不要保持悬空。当 DIS_CE_PIN 位设置为 1 时，可以禁用 CE 引脚功能。禁用后，该引脚可通过 FORCE_STAT4_ON 位用作通用指示器。
TS	8	I	温度鉴定电压输入 – 连接负温度系数热敏电阻。使用从 REGN 到 TS 再到 PGND 的电阻分压器对温度窗口进行编程。当 TS 引脚电压超出范围时，充电暂停。建议使用 103AT-2 10kΩ 热敏电阻。
ICHG	9	I	充电电流限制设置 – ICHG 引脚设置最大充电电流，并可用于监测充电电流。连接到 PGND 的编程电阻用于将充电电流限制设置为 I_CHG = K_ICHG/R_ICHG。当器件处于充电电流调节状态时，ICHG 引脚电压为 V_{REF_ICHG}。当 ICHG 引脚电压小于 V_{REF_ICHG} 时，实际充电电流可按下式计算：IBAT = K_ICHG x V_ICHG / ( R_ICHG x V_{REF_ICHG})。实际充电电流限制是 ICHG 引脚或 ICHG_REG 寄存器位设置的限制中的较低者。当 EN_ICHG_PIN 位为 0 时，可以禁用该引脚功能。如果不使用 ICHG 引脚，该引脚应拉至 PGND，不要悬空。
ILIM_HIZ	10	I	输入电流限制设置和高阻态模式控制引脚 – ILIM_HIZ 引脚设置最大输入电流限制，可用于监测输入电流，并可拉至高电平以强制器件进入高阻态模式。连接到 PGND 的编程电阻用于将输入电流限制设置为 I_LIM = K_ILIM/R_ILIM。当器件处于输入电流调节状态时，ILIM_HIZ 引脚上的电压为 V_{REF_ILIM}。当 ILIM_HIZ 引脚电压小于 V_{REF_ILIM} 时，实际输入电流可按下式计算：IAC = K_ILIM x V_ILIM / ( R_ILIM x V_{REF_ILIM})。实际输入电流限制是 ILIM_HIZ 引脚或 IAC_DPM 寄存器位设置的限制中的较低者。当 EN_ILIM_HIZ_PIN 位为 0 时，可以禁用该引脚功能。如果不使用 ILIM_HIZ 引脚，该引脚应拉至 PGND，不要悬空。
FBG	11	I	电压反馈分压器返回 – 连接到电池反馈电阻的底部。充电时，该引脚在内部被驱动至 PGND。当输入电压超出 ACUV/ACOV 工作窗口时，该引脚处于高阻抗状态，从而更大限度减少电池漏电流。
FB	12	I	充电电压模拟反馈调节 – 将电阻分压器的输出从电池端子连接到该节点，以调整输出电池调节电压。
SRN	13	I	充电电流检测电阻，负输入 – 在 SRN 和 SRP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 SRN 引脚和 PGND 之间放置一个可选的 0.1μF 陶瓷电容器，实现共模滤波。
SRP	14	I	充电电流检测电阻，正输入 – 在 SRN 和 SRP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 SRP 引脚和 PGND 之间放置一个 0.1μF 陶瓷电容器，实现共模滤波。
BATDRV	15	O	N 沟道电池 FET 栅极驱动 – 直接连接到 BATFET 栅极。当输入电压超出 ACUV/ACOV 工作窗口时，引脚以相对于 BATSRC 10V 的电压驱动栅极，以打开 BATFET。BATDRV 至 BATSRC 之间的可选电容器可用于减慢开启转换。
BATSRC	16	I	N 沟道电池 FET 源 – 直接连接到 BATFET 共源。
模式	17	-	用于编程正确的电感值以确保降压充电器运行。详细信息请见表 8-1。
VLSNS	18	P	电感电压检测节点 – 开尔文连接到电感器的非开关侧，用于降压充电器。
NC	19	-	未连接 - 将此引脚悬空，不要连接到 PGND
NC	20	-	未连接 - 将此引脚悬空，不要连接到 PGND
NC	21	-	未连接 - 将此引脚悬空，不要连接到 PGND
PGND	22	P	电源接地回路 – 低侧栅极驱动器的高电流接地连接。
DRV_SUP	23	P	充电器栅极驱动电源输入 – 该引脚上的电压用于驱动降压转换器开关 FET 的栅极。在 DRV_SUP 和电源地之间连接一个 4.7μF 陶瓷电容器。通过将 REGN 连接到 DRV_SUP 引脚，REGN LDO 电压可用作所有开关 FET 的栅极驱动器电源。在高压应用中，可以通过外部电源直接提供高达 12V 的 DRV_SUP 电压，以实现更高的开关效率。有关更多详细信息，请参阅节 7.3.3.3。
REGN	24	P	充电器内部线性稳压器输出 – 在 REGN 与电源地之间连接一个 4.7μF 陶瓷电容器。通过将 REGN 连接到 DRV_SUP 引脚，REGN LDO 电压可用作所有开关 FET 的栅极驱动器电源。在高压应用中，可以通过外部电源直接提供高达 12V 的 DRV_SUP 电压，以实现更高的开关效率。有关更多详细信息，请参阅节 7.3.3.3。
LODRV1	25	O	降压侧低侧栅极驱动器 – 连接到降压低侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
BTST1	26	P	降压侧高侧功率 MOSFET 栅极驱动器电源 – 在 BTST1 和 SW1 之间连接一个电容器，为高侧 MOSFET 栅极驱动器提供偏置。
HIDRV1	27	O	降压侧高侧栅极驱动器 – 连接到降压高侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
SW1	28	P	降压侧半桥开关节点 - 连接到降压 HS FET 的源极和降压 LS FET 的漏极。
ACN	29	I	适配器电流检测电阻，负输入 – 在 ACN 和 ACP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 ACN 引脚和 PGND 之间放置一个可选的 0.1μF 陶瓷电容器，实现共模滤波。
ACP	30	I	适配器电流检测电阻，正输入 – 在 ACN 和 ACP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 ACP 引脚和 PGND 之间放置一个 0.1μF 陶瓷电容器，实现共模滤波
ACUV	34	I	输入欠压比较器 – 在 VAC 和 PGND 之间连接一个电阻分压器以对欠压保护进行编程。当该引脚低于 V_{REF_ACUV} 时，器件停止充电，禁用 ACFET 并启用 BATFET。输入电压调节基准的硬件限制为 V_{ACUV_DPM}。实际输入电压调节是引脚编程值和 VAC_DPM 寄存器值中的较高者。如果不使用 ACUV 编程，则将该引脚拉至 VAC，不要悬空。
ACOV	35	I	输入过压比较器 – 在 VAC 和 PGND 之间连接一个电阻分压器以对过压保护进行编程。当该引脚升至高于 V_{REF_ACOV} 时，器件停止充电，禁用 ACFET 并启用 BATFET。如果不使用 ACOV 编程，则将该引脚拉至 PGND，不要悬空。
FSW_SYNC	36	I	开关频率和同步输入 – 将外部电阻连接到 FSW_SYNC 引脚和 PGND 以设置标称开关频率。该引脚还可用于将 PWM 控制器与频率为 200kHz 至 600kHz 的外部时钟同步。
散热焊盘	37	-	IC 下方的裸露焊盘 – 始终将散热焊盘焊接到电路板上，并在散热焊盘平面上通过过孔星形连接到 PGND 和大电流电源转换器的接地平面。它还用作散热焊盘以进行散热。