ZHCSX48 July 2024 BQ25820
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
外部 N 沟道 MOSFET 用于电源路径传输。VAC 侧的 MOSFET 称为 ACFET,VBAT 侧的 MOSFET 称为 BATFET。
选择这些 MOSFET 的适当权衡取决于 SOA 特性。所有 FET 都遵循相同的趋势,因此可以在所有位置使用同一 FET。必须选择一个 MOSFET,它不仅能够在直流条件下电压为 VDS 时提供接近 10A 的漏极电流,而且能够在 10μs 条件下电压为 30V VDS 时提供不中断的 100A 漏极电流。此外,SOA 特性应使最大结温至少为 125°C。为此应用选择的 FET 是 AONS6276,可以承受从 VAC 到 VBAT 的高达 30V 的电压摆幅,反之亦然。
尽管使用了坚固的高 SOA MOSFET,但仍必须限制可从电池流向系统负载的最大电流量。这是通过将电源路径过流保护设置为 8A 限值来实现的。这意味着成功实现从 VAC 到 VBAT 的电源路径传输的最大负载为 8A。此外还应注意,在 VAC > VBAT 的情况下,ACUV 应设置为介于 VAC 和 VBAT 之间的值。在 VBAT > VAC 的情况下,ACUV 应设置为刚好低于 VAC。