ZHCSUP3 June   2024 BQ41Z50

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 引脚等效图
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电源电流
    6. 6.6  电源控制
    7. 6.7  电流唤醒检测器
    8. 6.8  VC0、VC1、VC2、VC3、VC4，PACK
    9. 6.9  SMBD、SMBC
    10. 6.10 PRES/SHUTDN，DISP
    11. 6.11 ALERT
    12. 6.12 库仑计数字滤波器 (CC1)
    13. 6.13 ADC 数字滤波器
    14. 6.14 CHG、DSG 高侧 NFET 驱动器
    15. 6.15 预充电 (PCHG) FET 驱动器
    16. 6.16 FUSE 驱动器
    17. 6.17 内部温度传感器
    18. 6.18 TS1、TS2、TS3、TS4
    19. 6.19 闪存存储器
    20. 6.20 GPIO1、GPIO2、GPIO3、GPIO4、GPIO5、GPIO6、GPIO7
    21. 6.21 椭圆曲线加密 (ECC)
    22. 6.22 SMBus 接口时序
    23. 6.23 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 初级（一级）安全特性
      2. 7.3.2 次级（二级）安全特性
      3. 7.3.3 充电控制特性
      4. 7.3.4 Gas Gauging
      5. 7.3.5 寿命数据记录特性
      6. 7.3.6 身份验证
      7. 7.3.7 配置
        1. 7.3.7.1 振荡器功能
        2. 7.3.7.2 实时时钟
        3. 7.3.7.3 系统存在运行
        4. 7.3.7.4 紧急关断
        5. 7.3.7.5 2、3 或 4 节串联电芯配置
        6. 7.3.7.6 电芯均衡
        7. 7.3.7.7 LED 显示
      8. 7.3.8 电池参数测量
        1. 7.3.8.1 充电和放电计数
        2. 7.3.8.2 电压
        3. 7.3.8.3 电流
        4. 7.3.8.4 温度
        5. 7.3.8.5 通信
          1. 7.3.8.5.1 SMBus 开启和关闭状态
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 高电流路径
          1. 8.2.2.1.1 保护 FET
          2. 8.2.2.1.2 化学保险丝
          3. 8.2.2.1.3 锂离子电芯连接
          4. 8.2.2.1.4 检测电阻
          5. 8.2.2.1.5 降低 ESD
        2. 8.2.2.2 电量监测计电路
          1. 8.2.2.2.1 库伦计数接口
          2. 8.2.2.2.2 低压降稳压器 (LDO)
            1. 8.2.2.2.2.1 REG18
            2. 8.2.2.2.2.2 REG135
          3. 8.2.2.2.3 系统存在
          4. 8.2.2.2.4 SMBus 通信
          5. 8.2.2.2.5 FUSE 电路
        3. 8.2.2.3 次级电流保护
          1. 8.2.2.3.1 电芯和电池输入
          2. 8.2.2.3.2 外部电芯均衡
          3. 8.2.2.3.3 PACK 和 FET 控制
          4. 8.2.2.3.4 温度测量
          5. 8.2.2.3.5 LED
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 保护器 FET 旁路电容器和电池包端子旁路电容器
        2. 8.4.1.2 ESD 火花隙
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.18 TS1、TS2、TS3、TS4

所述典型值的条件是 TA = 25°C 且 VBAT = 14.4V，最小值/最大值的条件是 TA = -40°C 至 85°C 且 VBAT = 3.0V 至 28V（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
VIN输入电压范围TS1、TS2、TS3、TS4，VBIAS = VREF1-0.20.8 × VREF1V
TS1、TS2、TS3、TS4，VBIAS = VREG-0.20.8 × VREG
RNTC_PU内部上拉电阻TS1、TS2、TS3、TS4，标称 18kΩ 的设置14.41821.6kΩ
RNTC_TS4_PU (2) TS4 的内部上拉电阻 加载修整后 17 18 19 kΩ
RNTC_PU_DRIFT(1) 内部上拉电阻随温度的变化 针对标称 18kΩ –40°C 至 +85°C 范围内的变化与 25°C 时的值 -200 200 Ω
CI(1) 输入电容 TS1、TS2、TS3、TS4 2 pF
Ilkg(1) 输入漏电流 TS1、TS2、TS3、TS4 1 5 µA
(1) 根据设计确定。未经生产测试
(2) 内部上拉电阻仅包括 REG18 引脚与 ADC 检测电压的点之间的电阻
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