ZHCSUP3 June   2024 BQ41Z50

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 引脚等效图
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电源电流
    6. 6.6  电源控制
    7. 6.7  电流唤醒检测器
    8. 6.8  VC0、VC1、VC2、VC3、VC4，PACK
    9. 6.9  SMBD、SMBC
    10. 6.10 PRES/SHUTDN，DISP
    11. 6.11 ALERT
    12. 6.12 库仑计数字滤波器 (CC1)
    13. 6.13 ADC 数字滤波器
    14. 6.14 CHG、DSG 高侧 NFET 驱动器
    15. 6.15 预充电 (PCHG) FET 驱动器
    16. 6.16 FUSE 驱动器
    17. 6.17 内部温度传感器
    18. 6.18 TS1、TS2、TS3、TS4
    19. 6.19 闪存存储器
    20. 6.20 GPIO1、GPIO2、GPIO3、GPIO4、GPIO5、GPIO6、GPIO7
    21. 6.21 椭圆曲线加密 (ECC)
    22. 6.22 SMBus 接口时序
    23. 6.23 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 初级（一级）安全特性
      2. 7.3.2 次级（二级）安全特性
      3. 7.3.3 充电控制特性
      4. 7.3.4 Gas Gauging
      5. 7.3.5 寿命数据记录特性
      6. 7.3.6 身份验证
      7. 7.3.7 配置
        1. 7.3.7.1 振荡器功能
        2. 7.3.7.2 实时时钟
        3. 7.3.7.3 系统存在运行
        4. 7.3.7.4 紧急关断
        5. 7.3.7.5 2、3 或 4 节串联电芯配置
        6. 7.3.7.6 电芯均衡
        7. 7.3.7.7 LED 显示
      8. 7.3.8 电池参数测量
        1. 7.3.8.1 充电和放电计数
        2. 7.3.8.2 电压
        3. 7.3.8.3 电流
        4. 7.3.8.4 温度
        5. 7.3.8.5 通信
          1. 7.3.8.5.1 SMBus 开启和关闭状态
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 高电流路径
          1. 8.2.2.1.1 保护 FET
          2. 8.2.2.1.2 化学保险丝
          3. 8.2.2.1.3 锂离子电芯连接
          4. 8.2.2.1.4 检测电阻
          5. 8.2.2.1.5 降低 ESD
        2. 8.2.2.2 电量监测计电路
          1. 8.2.2.2.1 库伦计数接口
          2. 8.2.2.2.2 低压降稳压器 (LDO)
            1. 8.2.2.2.2.1 REG18
            2. 8.2.2.2.2.2 REG135
          3. 8.2.2.2.3 系统存在
          4. 8.2.2.2.4 SMBus 通信
          5. 8.2.2.2.5 FUSE 电路
        3. 8.2.2.3 次级电流保护
          1. 8.2.2.3.1 电芯和电池输入
          2. 8.2.2.3.2 外部电芯均衡
          3. 8.2.2.3.3 PACK 和 FET 控制
          4. 8.2.2.3.4 温度测量
          5. 8.2.2.3.5 LED
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 保护器 FET 旁路电容器和电池包端子旁路电容器
        2. 8.4.1.2 ESD 火花隙
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
8.2.2.1.1 保护 FET

为给定应用选择 N 沟道充电和放电 FET。CSD17308Q3 非常适合大多数便携式电池应用。有关详细信息，请参阅 CSD17308Q3 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET。TI CSD17308Q3 是一款 47A、30V 器件，在栅极驱动电压为 8V 时具有 8.2mΩ 的 RDS(ON)。

如果使用预充电 FET，则需要计算 R2，以将预充电电流限制为所需的速率。请务必考虑串联电阻的功率损耗。预充电电流限制为 (VCHARGER – VBAT)/R2，最大功率耗散为 (VCHARGER – VBAT)2/R2。

所有保护 FET 的栅极均由栅极和源极之间的高阻值电阻拉至源极，以确保在栅极驱动开路时将其关断。

电容器 C1 和 C2 有助于在 ESD 事件期间保护 FET。使用两个器件可确保在其中一个器件短路时正常运行。为了提供良好的 ESD 保护，电容器引线的覆铜布线电感必须设计为尽可能短且宽。确保 C1 和 C2 的额定电压足以在其中一个电容器短路时抑制施加的电压。

BQ41Z50 BQ41Z50 保护 FET图 8-2 BQ41Z50 保护 FET
千亿体育app官网登录(中国)官方网站IOS/安卓通用版/手机APP | 米乐app下载官网（中国）|ios|Android/通用版APP最新版 | 米乐|米乐·M6（中国大陆）官方网站 | 千亿体育登陆地址 | 华体会体育（中国）HTH·官方网站 | 千赢qy国际_全站最新版千赢qy国际V6.2.14安卓/IOS下载 | 18新利网v1.2.5|中国官方网站 | bob电竞真人（中国官网）安卓/ios苹果/电脑版【1.97.95版下载】 | 千亿体育app官方下载(中国)官方网站IOS/安卓/手机APP下载安装 |