BQ76905 集成了低侧 CHG 和 DSG FET 驱动器，这些驱动器可直接驱动低侧保护 NFET 晶体管。该器件支持串联和并联 FET 配置，当配置为串联 FET 配置时，如果一个 FET 驱动器打开而另一个 FET 驱动器关闭，可提供 FET 体二极管保护。当体二极管保护已启用时，如果电池包在存在放电禁止故障条件时充电，则可以打开 DSG 驱动器，以防止损坏 FET。同样，如果电池包在存在充电禁止故障条件时放电，则可以打开 CHG 驱动器。这些决策取决于检测到的电流是否绝对值超过可编程体二极管阈值，该电流检测使用库仑计电流测量来做出决策。

当未被命令阻止并且不存在相关故障（例如 UV、OTD、UTD、OCD1、OCD2、SCD 和选择诊断）时，DSG 引脚会被驱动为高电平，这种配置用于实现自主控制或用于体二极管保护。可以通过命令强制启动驱动器，但只有配置设置允许时，该命令才能生效。

DSG 驱动器旨在允许用户选择 DSG 引脚和 DSG FET 栅极之间的最佳串联电阻，以根据应用要求和 FET 特性选择实现所需的 FET 上升和下降时间。当 DSG FET 关断时，DSG 引脚会驱动为低电平，并会禁用所有放电过流保（OCD1、OCD2、SCD），以便更好地节省功耗。这些操作会在 DSG FET 开启时恢复运行。器件配置设置决定哪种保护会自主控制相应的 FET 驱动器。

仅当未被命令阻止并且不存在相关故障（OV、OTC、UTC、OCC、SCD 和选择诊断）时，CHG 引脚才会被驱动为高电平，这种配置用于实现自主控制或用于体二极管保护。可以通过命令强制启动驱动器，但只有配置设置允许时，该命令才能生效。关断 CHG 引脚不影响过流保护电路。CHG FET 驱动器在启用时主动将 CHG 引脚驱动为高电平，并在禁用时主动将该引脚驱动为低电平，使其在大约 100μs 的时间内比 VSS 电压高大约 0.5V，然后允许该引脚通过外部 CHG FET 栅源电阻器稳定到 PACK– 电压。如果在禁用 CHG FET 的情况下将充电器连接到电池包，则根据器件的电气规格，CHG 引脚可降至比器件 VSS 低 25V 的电压。由于 CHG 会在 100μs 的时间间隔期间主动拉至低电平，CHG 驱动电路（由驱动器有效电阻、CHG 引脚和 CHG FET 栅极之间的任何串联电阻和 FET 栅极电容组成）的时间常数应保持远低于此水平。

BQ76905 在 CHG 和 DSG FET 驱动器上具有 PWM 驱动能力，这使得这些驱动器能够限制充电或放电模式下的平均电流。DSG FET 驱动器根据驱动器控制，主动将 DSG 引脚驱动为高电平或低电平，因此可以实现持续开关，从而开启和关闭 DSG FET。如果未连接充电器，那么 CHG 驱动器也可以在 PWM 模式下实现连续开关。如果连接了充电器且电压明显高于电池包电压，则 CHG FET 栅极电压通常会被快速驱动至约 VSS + 0.5V，然后更慢地稳定至较低的 PACK– 电压，具体取决于系统电容。有关更多信息，请参阅 BQ76905 技术参考手册。