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ZHCSU48 December 2023 BQ76972

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

PFB|48
- MTQF019B

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

6.26 高侧 NFET 驱动器

所述典型值的条件是 T_A = 25°C 且 V_BAT = 59.2V，最小值/最大值的条件是 T_A = –40°C 至 85°C 且 V_BAT = 4.7V 至 80V（除非另有说明）⁽¹⁾

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
V_{(FETON_HI)}	相对于 BAT 的 CHG 引脚电压、相对于 BAT 的 DSG 引脚电压，8V ≤ V_BAT≤ 80V，V_LD ≤ V_DSG⁽²⁾	CHG/DSG C_L = 20nF，电荷泵高过驱设置	10	11	13	V
V_{(FETON_HI_LOBAT)}	相对于 BAT 的 CHG 引脚电压、相对于 BAT 的 DSG 引脚电压，4.7V ≤ V_BAT < 8V，V_LD ≤ V_DSG⁽²⁾	CHG/DSG C_L = 20nF，电荷泵高过驱设置	8	11	13	V
V_{(FETON_LO)}	相对于 BAT 的 CHG 引脚电压、相对于 BAT 的 DSG 引脚电压，8V ≤ V_BAT≤ 80V，V_LD ≤ V_DSG⁽²⁾	CHG/DSG C_L = 20nF，电荷泵低过驱设置	4.5	5.7	7	V
V_{(FETON_LO_LOBAT)}	相对于 BAT 的 CHG 引脚电压、相对于 BAT 的 DSG 引脚电压，4.7V ≤ V_BAT < 8V，V_LD ≤ V_DSG⁽²⁾	CHG/DSG C_L = 20nF，电荷泵低过驱设置	3.5	5	7	V
V_{(SRCFOL_FETON)}	相对于 BAT 的 DSG 导通电压	CHG/DSG C_L = 20nF，源极跟随器模式		0		V
V_(CHGFETOFF)	相对于 BAT 的 CHG 关断电压	CHG/DSG C_L = 20nF，稳态值			0.4	V
V_(DSGFETOFF)	相对于 LD 的 DSG 关断电压	CHG/DSG C_L = 20nF，稳态值			0.7	V
t_{(FET_ON)}	CHG 和 DSG 上升时间	CHG/DSG C_L = 20nF，R_GATE = 100Ω，0.5V 至 4V 栅源过驱，电荷泵高过驱设置⁽⁴⁾⁽⁵⁾		21	40	µs
t_(CHGFETOFF)	CHG 下降至 BAT 的时间	CHG C_L = 20nF，R_GATE = 100Ω，V_(FETON) 的 90% 至 10%⁽⁵⁾		46	65	µs
t_(DSGFETOFF)	DSG 下降至 LD 的时间	DSG C_L = 20nF，R_GATE = 100Ω，V_(FETON) 的 90% 至 10%⁽⁵⁾		2	20	µs
t_{(CP_START)}	电荷泵启动时间	C_L = 20nF，C_(CP1) = 470nF，V_(FETON) 的 10% 至 90%			100	ms
C_(CP1)	电荷泵电容器⁽³⁾		100	470	2200	nF

(1) 当电荷泵未运行时，支持使用高达 80V 的 V_BAT 运行。每当电荷泵工作（处于 5.5V 或 11V 模式）时，V_BAT 上的最大电压应降低，以确保 CP1、CHG 和 DSG 上的电压不超过其最大额定电压。

(2) 当 DSG 驱动器启用时，CHG 驱动器被禁用，并且会在 LD 引脚上施加一个电压，使 V_LD > V_DSG，DSG 上的电压将上升至大约 V_LD – 0.7V

(3) 由设计指定

(4) 根据特征确定

(5) 可以在设计和系统评估期间对 R_GATE 进行优化，以获得最佳性能。可能需要较大的值以避免 FET 关闭关断，否则会因电芯和线束电感而导致较大的电压瞬态。