1 特性

适用于 2 至 7 节串联电芯的初级或次级电压、电流和温度保护，具有自主恢复选项
电压保护：
- 电芯过压 (COV)：0V 至 5.5V，步长为 1mV，精度为 ±4mV
- 电芯欠压 (CUV)：0V 至 5.5V，步长为 1mV，精度为 ±4mV
电流保护:
- 放电短路 (SCD)：10mV 至 500mV，不同步长
- 充电过流 (OCC)：3mV 至 123mV，2mV 步长
- 放电 1 和 2 过流（OCD1 和 OCD2）：4mV 至 200mV，2mV 步长
使用外部 NTC 热敏电阻进行温度保护：
- 充电和放电过热（OTC 和 OTD）
- 充电和放电欠温（UTC 和 UTD）
- 内部芯片过热
集成低侧驱动器，用于 NFET 保护，具有可选的自主恢复功能
低功耗操作：
- NORMAL 模式，两个 FET 均启用：8μA
- NORMAL 模式，FET 禁用：5μA
- SHUTDOWN 模式：< 1μA
电池连接和部分其他引脚上的高电压容差为 45V
集成一次性可编程 (OTP) 存储器，用于保存器件设置，由 TI 编程
主机处理器的可编程中断，可通过 I²C 获取状态信息
400kHz I²C 串行通信，具有可选的 CRC 支持
供外部系统使用的可编程 LDO
20 引脚 QFN 3.5mm × 3.5mm × 0.9mm (RGR) 封装