ZHCSU54 December   2023 BQ77307

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息 BQ77307
    5. 6.5  电源电流
    6. 6.6  数字 I/O
    7. 6.7  REGOUT LDO
    8. 6.8  电压基准
    9. 6.9  电流检测器
    10. 6.10 热敏电阻上拉电阻
    11. 6.11 硬件过热检测器
    12. 6.12 内部振荡器
    13. 6.13 充电和放电 FET 驱动器
    14. 6.14 保护子系统
    15. 6.15 时序要求 - I2C 接口,100kHz 模式
    16. 6.16 时序要求 - I2C 接口,400kHz 模式
    17. 6.17 时序图
    18. 6.18 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 器件配置
      1. 7.3.1 命令和子命令
      2. 7.3.2 使用 OTP 或寄存器进行配置
      3. 7.3.3 器件安全性
    4. 7.4 器件硬件特性
      1. 7.4.1  电压保护子系统
      2. 7.4.2  电流保护子系统
      3. 7.4.3  未使用的 VC 引脚
      4. 7.4.4  内部温度保护
      5. 7.4.5  热敏电阻温度保护
      6. 7.4.6  保护 FET 驱动器
      7. 7.4.7  电压基准
      8. 7.4.8  多路复用器
      9. 7.4.9  LDO
      10. 7.4.10 独立接口与主机接口
      11. 7.4.11 ALERT 引脚运行
      12. 7.4.12 低频振荡器
      13. 7.4.13 I2C 串行通信接口
    5. 7.5 保护子系统
      1. 7.5.1 保护概述
      2. 7.5.2 初级保护
      3. 7.5.3 电芯开路保护
      4. 7.5.4 诊断检查
    6. 7.6 器件电源模式
      1. 7.6.1 电源模式概述
      2. 7.6.2 NORMAL 模式
      3. 7.6.3 SHUTDOWN 模式
      4. 7.6.4 CONFIG_UPDATE 模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用性能图
      4. 8.2.4 随机电芯连接支持
      5. 8.2.5 启动时序
      6. 8.2.6 FET 驱动器关断
      7. 8.2.7 未使用引脚的使用
  10. 电源建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

保护子系统

所述典型值的条件是 TA = 25°C 且 VBAT = 25.9V,最小值/最大值的条件是 TA = -40°C 至 110°C 且 VBAT = 3V 至 38.5V(除非另有说明)。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
V(CV_ACC) 电芯过压 (COV) 和欠压 (CUV) 保护阈值电压精度(2) 0V < VVC(x) - VVC(x-1) < 4.5V,TA = 25°C,1 ≤ x ≤ 7,使用 10Ω 和 220nF 的输入网络  -4 4 mV
0V < VVC(x) - VVC(x-1) < 4.5V,TA = –20°C 至 65°C,1 ≤ x ≤ 7,使用 10Ω 和 220nF 的输入网络  –8 7 mV
0V < VVC(x) - VVC(x-1) < 4.5V,TA = –40°C 至 110°C,1 ≤ x ≤ 7,使用 10Ω 和 220nF 的输入网络  -10 10 mV
0V < VVC(x) - VVC(x-1) < 5.5V,TA = –40°C 至 110°C,1 ≤ x ≤ 7,使用 10Ω 和 220nF 的输入网络  –13 12 mV
V(CV_DLY) 电芯过压 (COV) 和欠压 (CUV) 检测延迟精度(1) 延迟误差与标称延迟设置间的关系 -5% 5%
V(TS_ACC) 热敏电阻温度保护阈值精度(2) 阈值误差与标称设置间的关系,阈值根据 VTS / VREG18 设定。 -2% 2%
V(TS_DLY) 热敏电阻温度保护延迟精度(2) 延迟误差与标称设置间的关系 -5% 5%
V(TINT_ACC) 内部温度保护阈值精度(2) 阈值误差与标称设置间的关系,TA = –20°C 至 65°C -5.8 5.0
阈值误差与标称设置间的关系,TA = –40°C 至 110°C -7.8 5.3
V(SCD) 放电短路电压阈值范围 标称设置,阈值基于 VSRP – VSRN –10、
–20、
–40、
–60、
–80、
–100、
–125、
–150、
–175、
–200、
–250、
–300、
–350、
–400、
–450、
–500
mV
V(SCD_ACC) 放电短路电压阈值检测精度 (2) –10mV 设置 –36% 22%
–20mV 设置 –19% 12%
–40mV 设置 –14% 6%
设置 –60mV 至 -500 mV -11% 6%
V(SCD_DLY) 放电短路检测延迟(1) 最快设置(具有 3mV 过驱) 8 µs
最快设置(具有 25mV 过驱) 0.6 µs
15µs 的设置(具有 3mV 过驱) 20 28 µs
15µs 的设置(具有 25mV 过驱) 20 µs
31µs 的设置(具有 25mV 过驱) 14 35 µs
61µs 的设置(具有 25mV 过驱) 42 66 µs
122µs 的设置(具有 25mV 过驱) 102 130 µs
244µs 的设置(具有 25mV 过驱) 218 258 µs
488µs 的设置(具有 25mV 过驱) 452 510 µs
977µs 的设置(具有 25mV 过驱) 920 1018 µs
1953µs 的设置(具有 25mV 过驱) 1860 2034 µs
3906µs 的设置(具有 25mV 过驱) 3735 4065 µs
7797µs 的设置(具有 25mV 过驱) 7470 8112 µs
V(OCC) 充电过流 (OCC) 电压阈值范围 标称设置,阈值基于 VSRP – VSRN 3mV 至 123mV(步长为 2mV) mV
V(OCC_ACC) 充电过流 (OCC) 电压阈值精度 (2) 设置 3mV 至 19mV -1.17 1.32 mV
V(OCC_ACC) 充电过流 (OCC) 电压阈值精度 (2) 设置 21mV 至 55mV -1.68 2.99 mV
V(OCC_ACC) 充电过流 (OCC) 电压阈值精度 (2) 设置 57mV 至 123mV -1.61 4.10 mV
V(OCD) 放电过流(OCD1、OCD2)电压阈值范围 标称设置,阈值基于 VSRP – VSRN -4mV 至 -200mV(步长为 2mV) mV
V(OCD_ACC) 过流(OCD1、OCD2)检测电压阈值精度 (2) 设置 -4 mV 至 -18 mV –1.23 0.84 mV
设置 -20 mV 至 -56 mV -2.84 1.59 mV
设置 -58 mV 至 -100 mV -2.15 2.58 mV
设置 -102 mV 至 -200 mV -2,86 4,19 mV
V(OC_DLY) 过流(OCC、OCD1、OCD2)检测延迟(每个保护均具有独立的延迟设置) 最快设置 0.46 ms
标称设置,低范围 1.22ms 至 20.435ms,以 0.305ms 为步长 ms
标称设置,中低范围 22.875ms 至 176.595ms,以 2.441ms 为步长 ms
标称设置,中高范围 181.475ms 至 488.915ms,以 4.883ms 为步长 ms
标称设置,高范围 498.675ms 至 1103.795ms,以 9.766ms 为步长 ms
V(OC_DLY) 过流(OCC、OCD1、OCD2)检测延迟精度(1) 最快设置 -0.35 0.35 ms
标称设置,低范围 -1.2 0.90 ms
标称设置,中低范围 –7.5 7.2 ms
标称设置,中高范围 -20 20 ms
标称设置,高范围 –45 45 ms
由设计指定
由特性和生产测试的组合指定