ZHCS896I May   2009  – September 2018 CC430F5133 , CC430F5135 , CC430F5137 , CC430F6125 , CC430F6126 , CC430F6127 , CC430F6135 , CC430F6137

PRODUCTION DATA.  

  1. 1器件概述
    1. 1.1 特性
    2. 1.2 应用
    3. 1.3 说明
    4. 1.4 功能方框图
  2. 2修订历史记录
  3. 3Device Comparison
    1. 3.1 Related Products
  4. 4Terminal Configuration and Functions
    1. 4.1 Pin Diagrams
    2. 4.2 Signal Descriptions
      1. Table 4-1 CC430F613x and CC430F612x Terminal Functions
      2. Table 4-2 CC430F513x Terminal Functions
  5. 5Specifications
    1. 5.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2  ESD Ratings
    3. 5.3  Recommended Operating Conditions
    4. 5.4  Active Mode Supply Current Into VCC Excluding External Current
    5. 5.5  Typical Characteristics – Active Mode Supply Currents
    6. 5.6  Low-Power Mode Supply Currents (Into VCC) Excluding External Current
    7. 5.7  Typical Characteristics – Low-Power Mode Supply Currents
    8. 5.8  Low-Power Mode With LCD Supply Currents (Into VCC) Excluding External Current
    9. 5.9  Thermal Resistance Characteristics, CC430F51xx
    10. 5.10 Thermal Resistance Characteristics, CC430F61xx
    11. 5.11 Digital Inputs
    12. 5.12 Digital Outputs
    13. 5.13 Typical Characteristics – Outputs, Reduced Drive Strength (PxDS.y = 0)
    14. 5.14 Typical Characteristics – Outputs, Full Drive Strength (PxDS.y = 1)
    15. 5.15 Crystal Oscillator, XT1, Low-Frequency Mode
    16. 5.16 Internal Very-Low-Power Low-Frequency Oscillator (VLO)
    17. 5.17 Internal Reference, Low-Frequency Oscillator (REFO)
    18. 5.18 DCO Frequency
    19. 5.19 PMM, Brownout Reset (BOR)
    20. 5.20 PMM, Core Voltage
    21. 5.21 PMM, SVS High Side
    22. 5.22 PMM, SVM High Side
    23. 5.23 PMM, SVS Low Side
    24. 5.24 PMM, SVM Low Side
    25. 5.25 Wake-up Times From Low-Power Modes and Reset
    26. 5.26 Timer_A
    27. 5.27 USCI (UART Mode) Clock Frequency
    28. 5.28 USCI (UART Mode)
    29. 5.29 USCI (SPI Master Mode) Clock Frequency
    30. 5.30 USCI (SPI Master Mode)
    31. 5.31 USCI (SPI Slave Mode)
    32. 5.32 USCI (I2C Mode)
    33. 5.33 LCD_B Operating Conditions
    34. 5.34 LCD_B Electrical Characteristics
    35. 5.35 12-Bit ADC, Power Supply and Input Range Conditions
    36. 5.36 12-Bit ADC, Timing Parameters
    37. 5.37 12-Bit ADC, Linearity Parameters Using an External Reference Voltage or AVCC as Reference Voltage
    38. 5.38 12-Bit ADC, Linearity Parameters Using the Internal Reference Voltage
    39. 5.39 12-Bit ADC, Temperature Sensor and Built-In VMID
    40. 5.40 REF, External Reference
    41. 5.41 REF, Built-In Reference
    42. 5.42 Comparator_B
    43. 5.43 Flash Memory
    44. 5.44 JTAG and Spy-Bi-Wire Interface
    45. 5.45 RF1A CC1101-Based Radio Parameters
      1. 5.45.1  Recommended Operating Conditions
      2. 5.45.2  RF Crystal Oscillator, XT2
      3. 5.45.3  Current Consumption, Reduced-Power Modes
      4. 5.45.4  Current Consumption, Receive Mode
      5. 5.45.5  Current Consumption, Transmit Mode
      6. 5.45.6  Typical TX Current Consumption, 315 MHz
      7. 5.45.7  Typical TX Current Consumption, 433 MHz
      8. 5.45.8  Typical TX Current Consumption, 868 MHz
      9. 5.45.9  Typical TX Current Consumption, 915 MHz
      10. 5.45.10 RF Receive, Overall
      11. 5.45.11 RF Receive, 315 MHz
      12. 5.45.12 RF Receive, 433 MHz
      13. 5.45.13 RF Receive, 868 or 915 MHz
      14. 5.45.14 Typical Sensitivity, 315 MHz, Sensitivity Optimized Setting
      15. 5.45.15 Typical Sensitivity, 433 MHz, Sensitivity Optimized Setting
      16. 5.45.16 Typical Sensitivity, 868 MHz, Sensitivity Optimized Setting
      17. 5.45.17 Typical Sensitivity, 915 MHz, Sensitivity Optimized Setting
      18. 5.45.18 RF Transmit
      19. 5.45.19 Optimum PATABLE Settings for Various Output Power Levels and Frequency Bands
      20. 5.45.20 Typical Output Power, 315 MHz
      21. 5.45.21 Typical Output Power, 433 MHz
      22. 5.45.22 Typical Output Power, 868 MHz
      23. 5.45.23 Typical Output Power, 915 MHz
      24. 5.45.24 Frequency Synthesizer Characteristics
      25. 5.45.25 Typical RSSI_offset Values
  6. 6Detailed Description
    1. 6.1  Sub-1 GHz Radio
    2. 6.2  CPU
    3. 6.3  Operating Modes
    4. 6.4  Interrupt Vector Addresses
    5. 6.5  Memory Organization
    6. 6.6  Bootloader (BSL)
    7. 6.7  JTAG Operation
      1. 6.7.1 JTAG Standard Interface
      2. 6.7.2 Spy-Bi-Wire Interface
    8. 6.8  Flash Memory
    9. 6.9  RAM
    10. 6.10 Peripherals
      1. 6.10.1  Oscillator and System Clock
      2. 6.10.2  Power-Management Module (PMM)
      3. 6.10.3  Digital I/O
      4. 6.10.4  Port Mapping Controller
      5. 6.10.5  System Module (SYS)
      6. 6.10.6  DMA Controller
      7. 6.10.7  Watchdog Timer (WDT_A)
      8. 6.10.8  CRC16
      9. 6.10.9  Hardware Multiplier
      10. 6.10.10 AES128 Accelerator
      11. 6.10.11 Universal Serial Communication Interface (USCI)
      12. 6.10.12 TA0
      13. 6.10.13 TA1
      14. 6.10.14 Real-Time Clock (RTC_A)
      15. 6.10.15 Voltage Reference (REF)
      16. 6.10.16 LCD_B (Only CC430F613x and CC430F612x)
      17. 6.10.17 Comparator_B
      18. 6.10.18 ADC12_A (Only CC430F613x and CC430F513x)
      19. 6.10.19 Embedded Emulation Module (EEM) (S Version)
      20. 6.10.20 Peripheral File Map
    11. 6.11 Input/Output Diagrams
      1. 6.11.1  Port P1 (P1.0 to P1.4) Input/Output With Schmitt Trigger
      2. 6.11.2  Port P1 (P1.5 to P1.7) Input/Output With Schmitt Trigger
      3. 6.11.3  Port P2 (P2.0 to P2.7) Input/Output With Schmitt Trigger
      4. 6.11.4  Port P3 (P3.0 to P3.7) Input/Output With Schmitt Trigger
      5. 6.11.5  Port P4 (P4.0 to P4.7) Input/Output With Schmitt Trigger (CC430F613x and CC430F612x Only)
      6. 6.11.6  Port P5 (P5.0 and P5.1) Input/Output With Schmitt Trigger
      7. 6.11.7  Port P5 (P5.2 to P5.4) Input/Output With Schmitt Trigger (CC430F613x and CC430F612x Only)
      8. 6.11.8  Port P5 (P5.5 to P5.7) Input/Output With Schmitt Trigger (CC430F613x and CC430F612x Only)
      9. 6.11.9  Port J (PJ.0) JTAG Pin TDO, Input/Output With Schmitt Trigger or Output
      10. 6.11.10 Port J (PJ.1 to PJ.3) JTAG Pins TMS, TCK, TDI/TCLK, Input/Output With Schmitt Trigger or Output
    12. 6.12 Device Descriptor
  7. 7Applications, Implementation, and Layout
    1. 7.1 Application Circuits
  8. 8器件和文档支持
    1. 8.1  入门和后续步骤
    2. 8.2  Device Nomenclature
    3. 8.3  工具和软件
    4. 8.4  文档支持
    5. 8.5  相关链接
    6. 8.6  社区资源
    7. 8.7  商标
    8. 8.8  静电放电警告
    9. 8.9  Export Control Notice
    10. 8.10 Glossary
  9. 9机械，封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.4 文档支持

以下文档介绍了 CC430F613x、CC430F612x 和 CC430F513x 器件。www.yogichopra.com 网站上提供了这些文档的副本。

接收文档更新通知

如需接收文档更新通知（包括器件勘误表），请转至 ti.com.cn 上相关器件的米6体育平台手机版_好二三四文件夹（关于这些米6体育平台手机版_好二三四文件夹的链接，请参阅Section 8.5）。请单击右上角的“通知我”按钮。点击注册后，即可收到米6体育平台手机版_好二三四信息更改每周摘要（如有）。有关更改的详细信息，请查阅已修订文档的修订历史记录。

勘误

用户指南

    《MSP430™ 闪存器件引导加载程序 (BSL) 用户指南》

    MSP430 引导加载程序（BSL，之前称为引导装载程序）方便用户在原型建模阶段、最终生产和维修期间与 MSP430 微控制器中的嵌入式存储器进行通信。可编程存储器（闪存）和数据存储器 (RAM) 能够按照要求进行变更。不要将此处的引导加载程序与某些数字信号处理器 (DSP) 中将外部存储器中的程序代码（和数据）自动加载到 DSP 内部存储器的引导装载程序混为一谈。

    《通过 JTAG 接口对 MSP430 进行编程》

    此文档介绍了使用 JTAG 通信端口擦除、编程和验证基于 MSP430 闪存和 FRAM 的微控制器系列的存储器模块所需的功能。此外，该文档还介绍了如何编程所有 MSP430 器件上均具备的 JTAG 访问安全保险丝。此文档介绍了使用标准四线制 JTAG 接口和两线制 JTAG 接口（也称为 Spy-Bi-Wire (SBW)）的器件访问。

    《MSP430 硬件工具用户指南》

    此手册介绍了 TI MSP-FET430 闪存仿真工具 (FET) 的硬件。FET 是针对 MSP430 超低功耗微控制器的程序开发工具。文中对提供的接口类型，即并行端口接口和 USB 接口进行了说明。

应用报告

    《MSP430 32kHz 晶体振荡器》

    选择合适的晶体、正确的负载电路和适当的电路板布局是实现稳定的晶体振荡器的关键。该应用报告总结了晶体振荡器的功能，介绍了用于选择合适的晶体以实现 MSP430 超低功耗运行的参数。此外，还给出了正确电路板布局的提示和示例。此外，为了确保振荡器在大规模生产后能够稳定运行，还可能需要进行一些振荡器测试，该文档中提供了有关这些测试的详细信息。

    《MSP430 系统级 ESD 注意事项》

    系统级 ESD 对于低电压下的硅晶技术以及经济高效型和超低功耗组件的需求日益增加。此应用报告重点讨论了三个不同的 ESD 主题，以帮助板卡设计师和原始设备制造商 (OEM) 理解和设计稳健的系统级设计米6体育平台手机版_好二三四：(1) 组件级 ESD 测试和系统级 ESD 测试，二者的差异以及为何组件级 ESD 无法确保达到系统级的稳健性。(2) 系统级 ESD 保护在不同电平下的通用设计指南（包括外壳、电缆、PCB 布局和板载 ESD 防护器件）。(3) 介绍了系统高效 ESD 设计 (SEED)。这是一种板上和片上 ESD 保护协同设计的方法论，用于实现系统级 ESD 的稳健性，配备仿真示例和测试结果。另外，还讨论了一些真实的系统级 ESD 保护设计示例及其成果。

    AN050 在欧洲 868MHz SRD 频段下使用 CC1101

    CC1101 是一款非常灵活且高度集成的射频接发器，且成本非常低廉。CC1101 专为 315、433、868 和 915MHz SRD/ISM 频段中的低功耗应用而设计。此应用手册介绍了如何在欧洲 863 – 870MHz SRD 频段中使用 CC1101，以符合 EN 300 220 标准的要求。此应用手册还适用于 CC1110、CC1111 和 CC430 SoC，因为这些器件使用与 CC1101 相同的无线电。

    DN010 使用 CC1101 实现近距离接收

    此文档介绍了如何在近距离 应用中使用 CC1100E 和 CC1101。在 250kbps 时，这些芯片的饱和限制约为 −15dBm，对于某些短距离 应用可能会面临挑战。文中给出了两项建议解决方案，第一个是双传输方案，第二个是在近距离接收过程中改变收发器动态范围。

    DN013 CC1101 上的可编程输出功率

    CC1101 RF 输出功率级由 PATABLE 寄存器设置来设定。此寄存器设置还会影响不同谐波的功率级以及器件的电流消耗。因此，在选择最佳寄存器设置时必须考虑这些参数。此文档提供了完整的 CC1101 PA 表格，其中包含在 25°C 和 3.0V 电源电压下不同寄存器设置所对应的典型输出功率、谐波和电流消耗。

    DN017 CC11xx 868/915MHz 射频匹配

    此设计注释简要介绍了使用 CC11xx 器件进行米6体育平台手机版_好二三四设计时的射频匹配和重要方面。由于所有 CC11xx 器件都具有相同的射频前端，因此可在无线电和天线之间使用同一个匹配网络。TI 针对所有 CC11xx 米6体育平台手机版_好二三四提供参考设计。这些参考设计显示了匹配网络中去耦电容器和组件的建议位置和值。
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