对于本示例，请遵循以下准则：

• 使用 GND 屏蔽隔离输入和输出。BROKEN_LINK 将所有输入和输出作为差分对进行路由。
• 生成多个频率时将输出与相邻输出相隔离。
• 隔离晶体区域，连接晶体封装的 GND 焊盘并淹没相邻区域。图 11-6 展示了支持多种晶体尺寸的封装。
• 尽可能避免扇入和扇出区域的阻抗跳跃。
• 使用五个过孔将散热焊盘连接到一个实心 GND 平面。最好使用全通过孔。
• 将具有小电容值的去耦电容器放置在非常靠近电源引脚的位置。尝试将这些电容器非常靠近地放置在同一层上或直接放置在背面层上。值越大，可以放置得越远。图 11-6 展示了靠近器件的三个去耦电容器。建议使用铁氧体磁珠来隔离不同的频域和 VDD_VCO 域。
• 最好使用多个过孔将宽电源引线连接到相应的电源平面。