ZHCSSF9 june   2023 CDCE6214Q1TM

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 说明（续）
  7. 6 器件比较
  8. 7 引脚配置和功能
  9. 8 规格
    1. 8.1  绝对最大额定值
    2. 8.2  ESD 等级
    3. 8.3  建议运行条件
    4. 8.4  热性能信息
    5. 8.5  EEPROM 特性
    6. 8.6  基准输入，单端特性
    7. 8.7  基准输入，差分特性
    8. 8.8  基准输入，晶体模式特性
    9. 8.9  通用输入特性
    10. 8.10 三电平输入特性
    11. 8.11 逻辑输出特性
    12. 8.12 锁相环特性
    13. 8.13 闭环输出抖动特性
    14. 8.14 输入和输出隔离
    15. 8.15 缓冲模式特性
    16. 8.16 PCIe 展频发生器
    17. 8.17 LVCMOS 输出特性
    18. 8.18 LP-HCSL 输出特性
    19. 8.19 LVDS 输出特性
    20. 8.20 输出同步特性
    21. 8.21 上电复位特性
    22. 8.22 与 I2C 兼容的串行接口特性
    23. 8.23 时序要求，与 I2C 兼容的串行接口
    24. 8.24 电源特性
    25. 8.25 典型特性
  10. 9 参数测量信息
    1. 9.1 基准输入
    2. 9.2 输出
    3. 9.3 串行接口
    4. 9.4 PSNR 测试
    5. 9.5 时钟连接和端接
      1. 9.5.1 基准输入
      2. 9.5.2 输出
  11. 10详细说明
    1. 10.1 概述
    2. 10.2 功能方框图
    3. 10.3 特性说明
      1. 10.3.1 基准块
        1. 10.3.1.1 零延迟模式，内部和外部路径
      2. 10.3.2 锁相环 (PLL)
        1. 10.3.2.1 PLL 配置和分频器设置
        2. 10.3.2.2 扩频时钟
        3. 10.3.2.3 数字控制振荡器和频率递增或递减 - 串行接口模式和 GPIO 模式
      3. 10.3.3 时钟分配
        1. 10.3.3.1 无毛刺运行
        2. 10.3.3.2 分频器同步
        3. 10.3.3.3 全局和单独输出使能
      4. 10.3.4 电源和电源管理
      5. 10.3.5 控制引脚
    4. 10.4 器件功能模式
      1. 10.4.1 运行模式
        1. 10.4.1.1 回退模式
        2. 10.4.1.2 引脚模式
        3. 10.4.1.3 串行接口模式
    5. 10.5 编程
      1. 10.5.1 I2C 串行接口
      2. 10.5.2 EEPROM
        1. 10.5.2.1 EEPROM - 循环冗余校验
        2. 10.5.2.2 建议的编程过程
        3. 10.5.2.3 EEPROM 访问
          1. 10.5.2.3.1 寄存器提交流程
          2. 10.5.2.3.2 直接访问流程
        4. 10.5.2.4 寄存器位到 EEPROM 映射
  12. 11应用和实施
    1. 11.1 应用信息
    2. 11.2 典型应用
      1. 11.2.1 设计要求
      2. 11.2.2 详细设计过程
      3. 11.2.3 应用曲线
    3. 11.3 电源相关建议
      1. 11.3.1 上电序列
      2. 11.3.2 去耦合
    4. 11.4 布局
      1. 11.4.1 布局指南
      2. 11.4.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 开发支持
      2. 12.1.2 器件命名规则
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.8 基准输入，晶体模式特性

VDD_VCO、VDDO_12、VDDO_34、VDD_REF = 1.8V ± 5%、2.5V ± 5%、3.3V ± 5%，TA = -40°C 至 105°C(1)
参数测试条件最小值典型值最大值单位
fIN_Xtal晶振频率基本模式1050MHz
ZESR晶体等效串联电阻fXTAL = 10MHz 至 16MHz60Ω
ZESR晶体等效串联电阻fXTAL = 16MHz 至 30MHz50Ω
ZESR晶体等效串联电阻fXTAL = 30MHz 至 50MHz30Ω
CL晶振负载电容使用片上负载电容。内含支持的晶体512.8pF
PXTAL晶体耐受驱动功率支持的晶体最高耐受200µW
CXIN_LOAD片上负载电容可以典型的 200fF 阶跃进行编程39.1pF
(1) 有关配置 XTAL 输入的详细应用报告，请参阅 SNAA331：带晶体输入的 CDCI6214 和 CDCE6214-Q1 设计。
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