ZHCSBB0F July 2013 – January 2022 CSD13381F4
PRODUCTION DATA
此 140mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 12 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 1060 | pC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅漏极） | 140 | pC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 1.8V | 310 | mΩ |
| VGS = 2.5V | 170 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V | 140 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 0.85 | V | |
| 器件(1) | 数量 | 包装介质 | 封装 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD13381F4 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 无引线 SMD | 卷带包装 |
| CSD13381F4T | 250 |
| TA = 25°C 时测得，除非另外注明 | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 12 | V |
| VGS | 栅源电压 | 8 | V |
| ID | 持续漏极电流，TA = 25°C 时测得(1) | 2.1 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) | 7 | A |
| IG | 持续栅极钳位电流 | 35 | mA |
| 脉冲栅极钳位电流(2) | 350 | ||
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| ESD 等级 | 人体放电模型 (HBM) | 4 | kV |
| 充电器件模型 (CDM) | 2 | kV | |
| TJ、 Tstg |
运行结温和 贮存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 7.4A， L = 0.1mH，RG = 25Ω |
2.7 | mJ |