ZHCSD46C December 2014 – February 2022 CSD13383F4
PRODUCTION DATA
3 说明
该 37mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
图 3-1 典型器件尺寸
米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 12 | V | |
| Qg | 总栅极电荷 (4.5V) | 2.0 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 0.6 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 2.5V | 53 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 37 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.0 | V | |
订购信息
| 器件(1) | 数量 | 介质 | 封装 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD13383F4 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 无引线 SMD | 卷带包装 |
| CSD13383F4T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 12 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±10 | V |
| ID | 持续漏极电流(1) | 2.9 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流(1)(2) | 18.5 | A |
| IG | 持续栅极钳位电流 | 25 | mA |
| 脉冲栅极钳位电流(1)(2) | 250 | ||
| PD | 功率耗散 | 500 | mW |
| ESD 等级 | 人体放电模型 (HBM) | 2 | kV |
| 充电器件模型 (CDM) | 2 | kV | |
| TJ、 Tstg | 工作结温 贮存温度 | –55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 6.7， L = 0.1mH，RG = 25Ω | 2.2 | mJ |
(1) 典型 RθJA = 250°C/W。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%.
图 3-2 顶视图