ZHCS656A December 2011 – September 2016 CSD16327Q3
PRODUCTION DATA.
3 说明
这款 25V、3.4mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换应用中的功率损耗并经优化以适用于 5V 栅极驱动器 应用。
顶视图
米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 25 | V | |
| Qg | 总栅极电荷 (4.5V) | 6.2 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 1.1 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=3V | 5 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 4 | |||
| VGS = 8V | 3.4 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.2 | V | |
.
器件信息(1)
| 器件 | 包装介质 | 数量 | 封装 | 发货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD16327Q3 | 13 英寸卷带 | 2500 | 小外形尺寸无引线 (SON)
3.30mm × 3.30mm 塑料封装 |
卷带式 |
| CSD16327Q3T | 7 英寸卷带 | 250 |
- 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 25 | V |
| VGS | 栅源电压 | +10 / –8 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 60 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 112 | ||
| 持续漏极电流(1) | 22 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 240 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 2.8 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 74 | ||
| TJ、
Tstg |
工作结温、
储存温度 |
–55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲
ID = 50A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
125 | mJ |
- RθJA = 45°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸，2 盎司覆铜上测得的典型值。
- 最大 RθJC = 1.7°C/W，脉宽 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。