ZHCSKK4C February   2010  – December 2019 CSD17308Q3

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     俯视图
      1.      Device Images
        1.       RDS(on) 与 VGS 对比
        2.       栅极电荷
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 支持资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模版开孔
    4. 7.4 Q3 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQG|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换 应用 中的损耗并针对 5V 栅极驱动器 应用进行了优化。

俯视图

CSD17308Q3 P0095-01_LPS202.gif

米6体育平台手机版_好二三四概要

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 3.9 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 0.8 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 3V 12.5 mΩ
VGS = 4.5V 9.4
VGS = 8V 8.2
VGS(th) 阈值电压 1.3 V

器件信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 配送
CSD17308Q3 2500 13 英寸卷带 SON 3.30mm × 3.30mm
塑料封装		 卷带封装
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 时测得，除非另外注明 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 +10 / –8 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 50 A
持续漏极电流，TC = 25°C 44
持续漏极电流(1) 14
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) 167 A
PD 功耗(1) 2.7 W
功率耗散，TC = 25°C 28
TJ，Tstg 工作结温和贮存温度 –55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 36A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 65 mJ
  1. 典型 RθJA = 46°C/W（当在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上将其安装在 1 平方英寸 (6.45cm2) 2oz (0.071mm) 厚的铜焊盘上时）。
  2. 最大 RθJC = 4.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
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