ZHCSAF2D October   2012  – September 2015 CSD17313Q2Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 社区资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q2 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议的模版布局
    4. 7.4 Q2 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQK|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

该 30V、24mΩ、2mm x 2mm SON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 并针对 5V 栅极驱动器应用进行了优化 应用中， 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。

俯视图
CSD17313Q2Q1 P0108-01_LPS235.gif

增加文本，调节间距

米6体育平台手机版_好二三四概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 总栅极电荷 (4.5V) 2.1 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 0.4 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 3V 31 mΩ
VGS = 4.5V 26 mΩ
VGS = 8V 24 mΩ
VGS(th) 阈值电压 1.3 V

订购信息(1)

器件编号 数量 包装介质 封装 发货
CSD17313Q2Q1 3000 13 英寸卷带 SON 2mm × 2mm 塑料封装 卷带封装
CSD17313Q2Q1T 250 7 英寸卷带
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅米6体育平台手机版_好二三四说明书末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 +10 / –8 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 5 A
持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 19
持续漏极电流(1) 7.3
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) 57 A
PD 功率耗散(1) 2.4 W
功率耗散，TC = 25°C 17
TJ，TSTG 运行结温和
储存温度范围		 –55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲，
ID=19A，L=0.1mH，RG=25Ω		 18 mJ
  1. RθJA = 53°C/W，这是在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸 2 盎司的铜焊盘上
    测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 7.4°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
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