ZHCSEW3C April 2016 – February 2022 CSD17382F4
PRODUCTION DATA
3 说明
该 30V、54mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能最大限度地减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
典型器件尺寸
米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 总栅极电荷 (4.5V) | 2.1 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 0.63 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 1.8V | 110 | mΩ |
| VGS = 2.5V | 67 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V | 56 | mΩ | ||
| VGS = 8.0V | 54 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 0.9 | V | |
器件信息
| 器件(1) | 数量 | 介质 | 封装 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17382F4 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 无引线 SMD | 卷带包装 |
| CSD17382F4T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V |
| VGS | 栅源电压 | 10 | V |
| ID | 持续漏极电流(1) | 2.3 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 14.8 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| ESD 等级 | 人体放电模型 (HBM) | 3000 | V |
| 组件充电模式 (CDM) | 2000 | V | |
| TJ、 Tstg | 工作结温、 贮存温度 | –55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 6.5A， L = 0.1mH，RG = 25Ω | 2.1 | mJ |
(1) 典型 RθJA = 245°C/W（在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安装 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz、
0.071mm 厚的铜焊盘时）。
0.071mm 厚的铜焊盘时）。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%.
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