ZHCSAE7C January 2016 – November 2023 CSD17552Q3A
PRODUCTION DATA
这款 30V 5.5mΩ 3.3mm × 3.3mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 9.0 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 2.3 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 6.5 | mΩ |
VGS = 10V | 5.5 | mΩ | ||
VGS(th) | 阈值电压 | 1.5 | V |
器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
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CSD17552Q3A | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装 |
卷带包装 |
CSD17552Q3AT | 250 | 7 英寸卷带 |
TA = 25°C 时测得,除非另有说明 | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | 30 | V |
VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
ID | 持续漏极电流,TC = 25°C | 60 | A |
持续漏极电流(受芯片限制) | 74 | A | |
持续漏极电流,TA=25°C 时测得(1) | 15 | A | |
IDM | 脉冲漏极电流,TA = 25°C(2) | 84 | A |
PD | 功率耗散(1) | 2.6 | W |
TJ、 Tstg |
工作结温, 贮存温度 |
-55 至 150 | °C |
EAS | 雪崩能量,单一脉冲 ID= 30A,L = 0.1mH,RG = 25Ω |
45 | mJ |
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