ZHCSAE7C January   2016  – November 2023 CSD17552Q3A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4规格
    1. 4.1 电气特性
    2. 4.2 热性能信息
    3. 4.3 典型 MOSFET 特性
  6. 5器件和文档支持
    1. 5.1 支持资源
    2. 5.2 商标
    3. 5.3 静电放电警告
    4. 5.4 术语表
  7. 6修订历史记录
  8. 7机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

(TA = 25°C 时测得,除非另有说明)
参数测试条件最小值典型值最大值单位
静态特性
BVDSS漏源电压VGS = 0V,ID = 250μA30V
IDSS漏源漏电流VGS = 0V,VDS = 24V1μA
IGSS栅源漏电流VDS = 0V,VGS = 20V100nA
VGS(th)栅源阈值电压VDS = VGS,ID = 250μA1.11.51.9V
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V,ID = 11A6.58.1
VGS = 10V,ID = 11A5.56.0
gfs跨导VDS = 15V,ID = 11A106S
动态特性
Ciss输入电容VGS = 0V,VDS = 15V,ƒ = 1MHz15802050pF
Coss输出电容385500pF
Crss反向传输电容2836pF
RG串联栅极电阻.91.8
Qg栅极电荷总量 (4.5V)VDS = 15V,ID = 11A912nC
Qgd栅漏栅极电荷2.3nC
Qgs栅极电荷(栅源极)3.6nC
Qg(th)Vth 下的栅极电荷1.8nC
Qoss输出电荷VDS = 15V,VGS = 0V11nC
td(on)导通延时时间VDS = 15V,VGS = 4.5V,
IDS = 11A,RG = 2Ω
7.2ns
tr上升时间7.4ns
td(off)关闭延时时间11.0ns
tf下降时间3.4ns
二极管特性
VSD二极管正向电压ISD = 11A,VGS = 0V0.81V
Qrr反向恢复电荷VDS= 13.5V,IF = 11A,
di/dt = 300A/μs
17nC
trr反向恢复时间15ns