ZHCSC48D February 2014 – May 2017 CSD17570Q5B
PRODUCTION DATA.
这款 30V,0.56mΩ,SON 5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小 ORing 和热拔插应用的 电阻, 不可用于开关 应用。
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TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 93 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 34 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 0.74 | mΩ |
VGS = 10V | 0.56 | mΩ | ||
VGS(th) | 阈值电压 | 1.5 | V |
器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
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CSD17570Q5B | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
CSD17570Q5BT | 250 | 7 英寸卷带 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | 30 | V |
VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
ID | 持续漏极电流(受封装限制) | 100 | A |
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 | 407 | ||
持续漏极电流,TA = 25°C 时测得(1) | 53 | ||
IDM | 脉冲漏极电流,TA = 25°C 时测得(2) | 400 | A |
PD | 功率耗散(1) | 3.2 | W |
TJ, Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
EAS | 雪崩能量,单脉冲 ID = 90A,L = 0.1mH,RG = 25Ω |
450 | mJ |
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RDS(on) 与 VGS 对比 |
栅极电荷 |