ZHCSCT3A September   2014  – January 2016 CSD17579Q3A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 社区资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3A 封装尺寸
    2. 7.2 Q3A 建议的 PCB 布局
    3. 7.3 Q3A 建议的模板布局
    4. 7.4 Q3A 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DNH|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用

  • 用于网络、电信和计算系统中的 负载点 同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

说明

这款 30V,8.7mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗提供了灵活性和便利性。

顶视图
CSD17579Q3A P0093-01_LPS198.gif

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米6体育平台手机版_好二三四概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 总栅极电荷 (4.5V) 5.3 nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极) 1.2 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 11.8
VGS = 10V 8.7
VGS(th) 阈值电压 1.5 V

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订购信息(1)

器件 包装介质 数量 封装 发货
CSD17579Q3A 13 英寸卷带 2500 SON 3.3mm x 3.3mm
塑料封装
卷带封装
CSD17579Q3AT 7 英寸卷带 250
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅米6体育平台手机版_好二三四说明书末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流(受封装限制) 20 A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 39
持续漏极电流(1) 11
IDM 脉冲漏极电流(2) 106 A
PD 功率耗散(1) 2.5 W
功率耗散,TC = 25°C 29
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
–55 至 150 °C
EAS 雪崩能量,单一脉冲
ID = 17A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
14 mJ
  1. RθJA = 50°C/W,这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 5.4°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 对比

CSD17579Q3A D007_SLPS527.gif

栅极电荷

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