ZHCSFS9A December 2016 – March 2019 CSD18512Q5B
PRODUCTION DATA.
3 说明
这款 40V、1.3mΩ、5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。
俯视图
米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 40 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 75 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 13.3 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 1.8 | mΩ |
| VGS = 10V | 1.3 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.6 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18512Q5B | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 5mm × 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD18512Q5BT | 250 | 7 英寸卷带 |
- 如需了解所有可用封装，请参阅米6体育平台手机版_好二三四说明书末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 40 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 100 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），
TC = 25°C 时测得 |
211 | ||
| 持续漏极电流(1) | 32 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 400 | A |
| PD | 功耗(1) | 3.1 | W |
| 功耗，TC = 25°C | 139 | ||
| TJ、
Tstg |
工作结温、
贮存温度 |
–55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲
ID = 64A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
205 | mJ |
- RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜焊盘上测得的典型值。
- 最大 RθJC = 0.9°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%