ZHCSA49C August   2012  – March 2024 CSD18532KCS

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4.   说明
  5. 3Specifications
    1. 3.1 Electrical Characteristics
    2. 3.2 Thermal Information
    3. 3.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 4Device and Documentation Support
    1. 4.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 4.2 接收文档更新通知
    3. 4.3 支持资源
    4. 4.4 Trademarks
    5. 4.5 静电放电警告
    6. 4.6 术语表
  7. 5Revision History
  8. 6Mechanical Data

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KCS|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

Revision History

Changes from Revision B (August 2012) to Revision C (March 2024)

  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go

Changes from Revision A (October 2012) to Revision B (July 2014)

  • 将 TC = 100°C 时的 ID 增加至 116AGo
  • 将 IDM 增加至 400AGo
  • 将 PD 增加至 250WGo
  • 将最大工作结温和贮存温度增加至 175°CGo
  • Updated Figure 3-1 from a normalized RθJA to an RθJC curveGo
  • Updated Figure 3-6 to extend to 175°C Go
  • Updated Figure 3-8 to extend to 175°C Go
  • Updated the SOA in Figure 3-10 Go
  • Updated Figure 3-12 to extend to 175°C Go

Changes from Revision * (August 2012) to Revision A (October 2012)

  • Changed the Transconductance TYP value From: 146S To: 187SGo
  • Changed RθJA From: MAX = 62°C/W To: MAX = 65°C/WGo
  • Changed Figure 3-2 Go