ZHCSAE1D October   2012  – June 2015 CSD18534Q5A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     顶视图
      1.      Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 社区资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5A 封装尺寸
    2. 7.2 建议印刷电路板 (PCB) 布局
    3. 7.3 建议模板开口
    4. 7.4 Q5A 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQJ|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

此 7.8mΩ、60V、SON 5 × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

顶视图

CSD18534Q5A P0093-01_LPS198.gif

米6体育平台手机版_好二三四概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 60 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 17 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 3.5 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 9.9 mΩ
VGS = 10V 7.8 mΩ
VGS(th) 阈值电压 1.9 V

订购信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 发货
CSD18534Q5A 2500 13 英寸卷带 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装 卷带封装
CSD18534Q5AT 250 7 英寸卷带
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅米6体育平台手机版_好二三四说明书末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 60 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 50 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 69
持续漏极电流，TA = 25°C 时测得(1) 13
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) 229 A
PD 功耗(1) 3.1 W
功耗，TC = 25°C 77
TJ，
Tstg 		工作结温，
储存温度 		–55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID = 40A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 80 mJ
  1. RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 2.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
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