ZHCSF08B May 2016 – February 2022 CSD18541F5
PRODUCTION DATA
该 54mΩ、60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化,能够最大限度地减小在空间受限的工业负载开关应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 60 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 11 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 1.6 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 57 | mΩ |
VGS = 10V | 54 | |||
VGS(th) | 阈值电压 | 1.75 | V |
器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 配送 |
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CSD18541F5 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto 1.53mm × 0.77mm 无引线 SMD | 卷带 包装 |
CSD18541F5T | 250 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | 60 | V |
VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
ID | 持续漏极电流 | 2.2 | A |
IDM | 脉冲漏极电流 (1)(2) | 21 | A |
PD | 功率耗散 | 500 | mW |
TJ、 Tstg | 工作结温, 贮存温度 | –55 至 150 | °C |
EAS | 雪崩能量,单脉冲 ID = 12.8A,L = 0.1mH,RG = 25Ω | 8.2 | mJ |