ZHCSF08B May 2016 – February 2022 CSD18541F5
PRODUCTION DATA
3 说明
该 54mΩ、60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在空间受限的工业负载开关应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
典型器件尺寸米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 60 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 11 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 1.6 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 57 | mΩ |
| VGS = 10V | 54 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.75 | V | |
器件信息
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18541F5 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto 1.53mm × 0.77mm 无引线 SMD | 卷带 包装 |
| CSD18541F5T | 250 |
- 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 60 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流 | 2.2 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流 (1)(2) | 21 | A |
| PD | 功率耗散 | 500 | mW |
| TJ、 Tstg | 工作结温， 贮存温度 | –55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 12.8A，L = 0.1mH，RG = 25Ω | 8.2 | mJ |
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