ZHCSE28B August 2015 – November 2022 CSD19537Q3
PRODUCTION DATA
3 说明
这款 100V 12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
图 3-1 顶视图
米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 16 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 2.9 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 13.8 | mΩ |
| VGS = 10V | 12.1 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 3 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19537Q3 | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装 | 卷带包装 |
| CSD19537Q3T | 13 英寸卷带 | 250 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 50 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 53 | A | |
| 持续漏极电流 (1) | 9.7 | A | |
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 219 | A |
| PD | 功耗(1) | 2.8 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 83 | W | |
| TJ、 Tstg | 工作结温， 贮存温度 | –55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 33A，L = 0.1mH，RG = 25Ω | 55 | mJ |
(1) RθJA = 45°C/W，这是在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。
(2) 最大 RθJC = 1.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%.
 RDS(on) 与 VGS 之间的关系 |
 栅极电荷 |