ZHCSF65B July 2016 – March 2024 CSD19538Q2
PRODUCTION DATA
摘要
这款 100V 49mΩ 2mm x 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
图 3-1 顶视图米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 4.3 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 0.8 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 58 | mΩ |
| VGS = 10V | 49 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 3.2 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19538Q2 | 3000 | 7 英寸卷带 | 无引线小外形尺寸 (SON) 2.00mm x 2.00mm 塑料封装 | 卷带包装 |
| CSD19538Q2T | 250 | |||
| CSD19538Q2R | 10,000 | 13 英寸卷带 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 14.4 | A |
| 持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得 | 13.1 | ||
| 持续漏极电流(1) | 4.6 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 34.4 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 2.5 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 20.2 | ||
| TJ、 Tstg | 工作结温， 贮存温度 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 12.6A，L = 0.1mH，RG = 25Ω | 8 | mJ |
(1) 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上 1 平方英寸、2oz. 铜焊盘上的 RθJA = 50°C/W（典型值）。
(2) 最大 RθJC = 6.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
 RDS(on) 与 VGS 之间的关系 |
 栅极电荷 |