ZHCSEW4B April 2016 – February 2022 CSD25480F3
PRODUCTION DATA
3 说明
该 -20V、110mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
典型器件尺寸米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 0.7 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 0.10 | nC | |
| RDS(on) | 漏源 导通电阻 |
VGS = –1.8V | 420 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 203 | |||
| VGS = -4.5V | 132 | |||
| VGS = -8.0V | 110 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | -0.95 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25480F3 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto 0.73mm × 0.64mm 基板栅格阵列 (LGA) |
卷带 包装 |
| CSD25480F3T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C（除非另外注明） | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V |
| VGS | 栅源电压 | -12 | V |
| ID | 持续漏极电流(1) | –1.7 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流(1)(2) | –10.6 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人体放电模型 (HBM) | 4000 | V |
| 充电器件模型 (CDM) | 2000 | ||
| TJ、 Tstg |
工作结温、 贮存温度 |
–55 至 150 | °C |
(1) 安装在覆铜区域最小的 FR4 电路板上时的典型 RθJA = 255°C/W。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
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