ZHCSBO3F October 2013 – January 2022 CSD25483F4
PRODUCTION DATA
此 210mΩ、20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | -20 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 959 | pC | |
Qgd | 栅极电荷(栅漏极) | 161 | pC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = -1.8V | 530 | mΩ |
VGS = -2.5V | 338 | mΩ | ||
VGS = -4.5V | 210 | mΩ | ||
VGS(th) | 阈值电压 | -0.95 | V |
器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 配送 |
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CSD25483F4 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 基板栅格阵列 (LGA) | 卷带包装 |
CSD25483F4T | 250 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | -20 | V |
VGS | 栅源电压 | –12 | V |
ID | 持续漏极电流(1) | -1.6 | A |
IDM | 脉冲漏极电流(2) | -6.5 | A |
IG | 持续栅极钳位电流 | -35 | mA |
脉冲栅极钳位电流(2) | -350 | ||
PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
V(ESD) | 人体放电模型 (HBM) | 4 | kV |
充电器件模型 (CDM) | 2 | kV | |
TJ、 Tstg |
运行结温和 贮存温度范围 |
-55 至 150 | °C |