ZHCSGW6B October   2017  – October 2021 CSD25501F3

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 支持资源
    3. 6.3 Trademarks
    4. 6.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 6.5 术语表
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YJN|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3 Trademarks

FemtoFET and TI E2E are trademarks of Texas Instruments.

All trademarks are the property of their respective owners.
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