ZHCSDF5A December 2014 – May 2024 CSD85301Q2
PRODUCTION DATA
3 说明
CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 沟道器件，具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。这两个 FET 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。此外，该器件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。两个 FET 的漏源导通电阻均不高，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。
顶视图和电路图米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 4.2 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 1.0 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 1.8V | 65 | mΩ |
| VGS = 2.5V | 33 | mΩ | ||
| VGS = 3.8V | 25 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V | 23 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 0.9 | V | |
订购信息
| 器件(1) | 介质 | 数量 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD85301Q2 | 7 英寸卷带 | 3000 | SON 2mm x 2mm 塑料封装 |
卷带包装 |
| CSD85301Q2T | 7 英寸卷带 | 250 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 20 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±10 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 5.0 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流(1) | 26 | A |
| PD | 功率耗散(2) | 2.3 | W |
| TJ、 Tstg |
工作结温和 贮存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 8.7A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
3.8 | mJ |
(1) 最大 RθJA = 185°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
(2) RθJA = 55°C/W，这是将 1 平方英寸、2oz 的铜焊盘安装在 0.06 英寸厚的 FR4 PCB 上时测得的典型值。
RDS(on) 与 VGS 之间的关系
栅极电荷