ZHCSEH8 November 2015 CSD85302L
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 共漏极配置
- 低导通电阻
- 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 标准
- 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV
2 应用
- USB Type-C/PD
- 电池管理
- 电池保护
3 说明
这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
俯视图
配置
增加文本，调节间距
米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA=25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VS1S2 | 源源电压 | 20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 6 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 1.4 | nC | |
| RS1S2(on) | 源源导通电阻 | VGS = 2.5V | 29 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 20 | mΩ | ||
| VGS = 6.5V | 18.7 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 0.9 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD85302L | 3000 | 7 英寸卷带 | 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装 | 卷带封装 |
| CSD85302LT | 250 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VS1S2 | 源源电压 | 20 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±10 | V |
| IS | 持续源极电流(1) | 7 | A |
| ISM | 脉冲源极电流(2) | 37 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 1.7 | W |
| V(ESD) | 人体放电模式 (HBM) | 2.5 | kV |
| TJ， Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
- RθJA = 75℃/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。
- RθJA = 90℃/W（最大值），脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
|
. RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
. 栅极电荷 |