DATA SHEET
CSD87501L 30V 双路共漏极 N 沟道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
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1 特性
- 低导通电阻
- 3.37mm × 1.47mm 的小尺寸
- 超薄 – 高 0.2mm
- 无铅
- 符合 RoHS
- 无卤素
- 栅极 ESD 保护
2 应用
- 电池管理
- 电池保护
- USB Type-C/PD
3 说明
此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件具有小尺寸和共漏极配置，非常适用于多节电池组 应用 和小型手持设备。
俯视图
配置
米6体育平台手机版_好二三四概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VS1S2 | 源源电压 | 30 | V | |
| Qg | 总栅极电荷 (4.5V) | 15 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 6.0 | nC | |
| RS1S2(on) | 源源导通电阻 | VGS = 4.5V | 9.3 | mΩ |
| VGS = 10V | 6.6 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.8 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD87501L | 7 英寸卷带 | 3000 | 3.37mm × 1.47mm
基板栅格阵列 封装 |
卷带
封装 |
| CSD87501LT | 7 英寸卷带 | 250 |
- 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VS1S2 | 源源电压 | 30 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| IS | 持续源极电流(1) | 14 | A |
| ISM | 脉冲源极电流(2) | 72 | A |
| PD | 功率耗散 | 2.5 | W |
| V(ESD) | 人体放电模型 (HBM) | 2 | kV |
| TJ、
Tstg |
工作结温、
贮存温度 |
–55 至 150 | °C |
- RθJA = 50°C/W，这是在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。
- RθJA = 135°C/W（覆铜面积最小时的典型值），脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。