ZHCSD83B
February 2015 – May 2019
CSD87501L
PRODUCTION DATA.
1
特性
2
应用
3
说明
俯视图
配置
Device Images
RS1S2(on) 与 VGS 间的关系
栅极电荷
4
修订历史记录
5
Specifications
5.1
Electrical Characteristics
5.2
Thermal Information
5.3
Typical MOSFET Characteristics
6
器件和文档支持
6.1
接收文档更新通知
6.2
社区资源
6.3
商标
6.4
静电放电警告
6.5
Glossary
7
机械、封装和可订购信息
7.1
封装尺寸
7.2
推荐的 PCB 布局
7.3
推荐的模板布局
封装选项
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
机械数据 (封装 | 引脚)
YJG|10
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcsd83b_oa
zhcsd83b_pm
5.3
Typical MOSFET Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise stated
Figure 1.
Transient Thermal Impedance
Figure 2.
Saturation Characteristics
V
S1S2
= 15 V
Figure 3.
Transfer Characteristics
I
S
= 7 A
V
S1S2
= 15 V
Figure 4.
Gate Charge
I
S
= 250 µA
Figure 6.
Threshold Voltage vs Temperature
I
S
= 7 A
Figure 8.
Normalized On-State Resistance vs Temperature
Figure 10.
Maximum Source Current vs Temperature
Figure 5.
Capacitance
Figure 7.
On-State Source-to-Source Resistance vs
Gate-to-Source Voltage
Single pulse, max R
θJA
= 135°C/W
Figure 9.
Maximum Safe Operating Area
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