ZHCSGQ9 September 2017 CSD87503Q3E
PRODUCTION DATA.
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件,专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻,可最大限度地较少损耗,且具有较少的组件数量,适用于空间受限的 应用。
TA = 25°C | 值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
Qg | 总栅极电荷 (4.5V) | 13.4 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 5.8 | nC | |
RDD(on) | 漏极到漏极导通电阻 | VGS = 4.5V | 17.3 | mΩ |
VGS = 10V | 13.5 | |||
VGS(th) | 阈值电压 | 1.7 | V |
器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 发货 |
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CSD87503Q3E | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 3.30mm × 3.30mm 塑料封装 |
卷带封装 |
CSD87503Q3ET | 250 | 7 英寸卷带 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | 30 | V |
VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
ID1, D2 | 持续漏极到漏极电流(受封装限制) | 10 | A |
IDS | 持续漏极到源极电流(受封装限制) | 1.5 | A |
ID1, D2M | 脉冲漏极到漏极电流(1) | 89 | A |
PD | 功率耗散(2) | 2.6 | W |
PD | 功耗,TC = 25°C | 15.6 | W |
TJ、 Tstg |
工作结温、 储存温度 |
–55 至 150 | °C |