ZHCSU04 November   2023 DAC61401 , DAC81401

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1  最大绝对额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性
    6. 5.6  时序要求:写入,IOVDD:1.7 V 至 2.7 V
    7. 5.7  时序要求:写入,IOVDD:2.7V 至 5.5V
    8. 5.8  时序要求:读取和菊花链,FSDO = 0,IOVDD:1.7 V 至 2.7 V
    9. 5.9  时序要求:读取和菊花链,FSDO = 1,IOVDD:1.7 V 至 2.7 V
    10. 5.10 时序要求:读取和菊花链,FSDO = 0,IOVDD:2.7V 至 5.5V
    11. 5.11 时序要求:读取和菊花链,FSDO = 1,IOVDD:2.7V 至 5.5V
    12. 5.12 时序图
    13. 5.13 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 数模转换器 (DAC) 架构
      2. 6.3.2 R-2R 梯形 DAC
      3. 6.3.3 可编程增益输出缓冲器
      4. 6.3.4 感测引脚
      5. 6.3.5 DAC 寄存器结构
        1. 6.3.5.1 输出更新
        2. 6.3.5.2 软件清除
          1. 6.3.5.2.1 软件复位模式
      6. 6.3.6 内部基准
      7. 6.3.7 电源序列
        1. 6.3.7.1 上电复位 (POR)
      8. 6.3.8 过热警报
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 省电模式
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 独立操作
      2. 6.5.2 菊花链运行
      3. 6.5.3 帧错误校验
  8. 寄存器映射
    1. 7.1 寄存器
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 主要元件
        2. 8.2.2.2 补偿电容器
        3. 8.2.2.3 增益级
        4. 8.2.2.4 衰减和缓冲级
        5. 8.2.2.5 外部电源
        6. 8.2.2.6 保护设计
        7. 8.2.2.7 设计精度
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 初始化设置
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

保护设计

如果器件输出引脚在没有外部保护元件的情况下进行工业瞬态测试,则 DAC81401 的内部二极管结构将变为正向偏置并传导电流。如果传导电流很大(这在高压工业瞬态测试中很常见),该结构会损坏并影响器件功能。

增益级输出和衰减级输入包括一个针对短路事件的外部电过应力保护电路。保护是通过瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管 D3 和 D6 以及钳位至轨二极管 D1、D2、D4、D5 实现的。

TVS 和钳位到轨二极管的联合效应限制了流入器件内部二极管结构的电流,以防止损坏。假设 R1 = 10Ω 且二极管 FB 为 0.7V,如果肖特基二极管将 VOUT 钳位到距离电源轨 ±1.5V,则进入器件的峰值电流等于 80mA。还在增益级输出和衰减级输入节点处包含 TVS 二极管 D3 和 D6,以便为通过二极管 D3 和 D6 以及内部二极管结构发送到这些节点的能量提供放电路径。如果没有这些二极管,当电流转移到这些节点时,去耦电容器会充电,缓慢增大这些节点的电压,这可能会超过 HV+ 和 HV– 的阈值限制。