该器件有三个电源电压并且需要七个电源域，才能实现如表 8-3 中所示的数据表性能：

推荐的电源如图 8-22 所示。电源电压必须具有低噪声，并提供所需的电流以实现额定器件性能。首先使用降压高效开关转换器，然后使用 LDO 进行第二级稳压，从而降低开关噪声并提高电压精度。用户还可以参阅 TI WEBENCH® Power Designer，它可用于根据需要选择和设计各个电源元件。推荐的开关稳压器为：

• TPSM82913 = +2.3V，适用于 VDDA、VDDIO、VDDCSR、VDDL 和 VDCCCLK 域
• TPS543620 = +1V，适用于 DVDD
• TPSM82913 = +3.8V，适用于 VEEx 域

推荐的 LDO 包括：

• +1.8V 和 +1V TPS7A9401
• -1.8V LM27762

图 8-22 推荐的电源方框图

VDDA 电源由 LDO 或低噪声压降线性稳压器调节，输出电压为 +1.8V，并进一步细分为以下子组电源域：

• VDDA：VDDA18A、VDDA18B
• VDDIO
• VDDCSR：VDDCLK、VDDSYS、VDDR

每个器件电源均可连接到单个 LDO，但可通过铁氧体磁珠和/或三端电容器或类似器件进行隔离。

VDDL 电源为 +1V，并进一步细分为 VDDLA 和 VDDLB。每个器件电源均可连接到单个 LDO，但可通过铁氧体磁珠和/或三端电容器或类似器件进行隔离。

VDDCLK10 电源为 +1V，可实现出色相位噪声性能。VDDCLK10 应单独与 LDO 隔离，以防止其他 1.0V 电源耦合到时钟路径中的噪声。

DVDD 电源为 +1V，可直接连接到开关电源。DVDD 包含以下器件电源：VDDDIG、VDDT、VDDDEA 和 VDDDEB，它们均可连接在一起。无需使用铁氧体磁珠和/或三端电容器或类似器件进行进一步隔离。

VEEx 电源由单个 LDO 提供 -1.8V 电压，并进一步细分为 VEEAM18 和 VEEBM18，它们通过铁氧体磁珠和/或三端电容器或类似器件进行隔离。

强烈建议遵循以下重要的电源设计注意事项：

1. 当所有电源轨和总线电压进入系统板时，将其解耦。进一步在每个电源域的 DAC 自身或其附近进行额外去耦。通常，每个电源引脚一个去耦电容器就足够了，除非在数据表或 EVM 组件中有所规定。
2. 请记住，每个附加的滤波级可实现大概 20dB/十倍频程的噪声抑制。
3. 对高频和低频进行解耦，可能需要多个电容值。
4. 串联铁氧体磁珠和馈通电容器通常用于电源普通接入点，可用于额外的电源域隔离。应该对系统板上的每个单独电源电压实施上述措施，无论是来自 LDO 还是开关稳压器。
5. 为了增加电容，请使用紧密堆叠的电源和接地层对（≤4 密耳间距），这增加了 PCB 设计固有的高频 (>500MHz) 解耦。
6. 应尽可能使电源远离敏感的模拟电路，如 DAC 的前端射频级、高速时钟和数字电路。
7. 使需要更高电流的电源域靠近堆叠顶部或具有电源正常入口点的层。这样可以更大限度地减小整体环路电感。
8. 电源平面上的任何开放或无效区域，请填充接地以提供额外的隔离和屏蔽。
9. 在所有相邻电源平面和/或接地平面填充之间保持 20mil 至 25mil 的间隙。这有助于消除同一层内相邻电源域和/或接地之间的所有间隙耦合。
10. 一些开关稳压器电路/组件可能位于 PCB 的另一侧以增加隔离效果。
11. 遵循 IC 制造建议；如果应用手册或数据表中没有直接说明，可以研究评估板。这些是值得参考的好工具。上述几点可帮助提供可靠的电源设计，从而在许多应用中实现数据表中指明的性能。

每个应用在电源电压上具有不同的噪声容差，因此请阅读以下两个应用手册以获取更多信息，更好地理解如何进行协调：

• 雷达应用中射频转换器的无杂波电源（第 1 部分）
• 雷达应用中射频转换器的无杂波电源（第 2 部分）

另请参阅图 8-30 至图 8-33，其中说明了单电源布局和堆叠方法。