ZHCSW92 May   2024 DLP472TE

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  存储条件
    3. 5.3  ESD 等级
    4. 5.4  建议运行条件
    5.     11
    6.     12
    7. 5.5  热性能信息
    8. 5.6  电气特性
    9. 5.7  开关特性
    10. 5.8  时序要求
    11. 5.9  系统安装接口负载
    12. 5.10 微镜阵列物理特性
    13. 5.11 微镜阵列光学特性
    14. 5.12 窗口特性
    15. 5.13 芯片组元件使用规格
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 电源接口
      2. 6.3.2 时序
    4. 6.4 器件功能模式
    5. 6.5 光学接口和系统图像质量注意事项
      1. 6.5.1 数字光圈和杂散光控制
      2. 6.5.2 光瞳匹配
      3. 6.5.3 照明溢出
    6. 6.6 微镜阵列温度计算
    7. 6.7 微镜功率密度计算
    8. 6.8 窗口孔隙照明溢出计算
    9. 6.9 微镜着陆开/着陆关占空比
      1. 6.9.1 微镜着陆开/着陆关占空比的定义
      2. 6.9.2 DMD 的着陆占空比和使用寿命
      3. 6.9.3 着陆占空比和运行 DMD 温度
      4. 6.9.4 估算米6体育平台手机版_好二三四或应用的长期平均着陆占空比
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 温度传感器二极管
  9. 电源相关建议
    1. 8.1 DMD 电源上电过程
    2. 8.2 DMD 电源断电过程
  10. 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 阻抗要求
    3. 9.3
    4. 9.4 布线宽度、间距
    5. 9.5 电源
    6. 9.6 布线长度匹配建议
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 10.2 器件支持
      1. 10.2.1 器件命名规则
      2. 10.2.2 器件标识
    3. 10.3 文档支持
      1. 10.3.1 相关文档
    4. 10.4 接收文档更新通知
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装选项附录
      1. 12.1.1 封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • FYW|149
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内和电源电压下测得(除非另有说明)
参数(1)(2) 测试条件(1) 最小值 典型值 最大值 单位
电流 - 典型值
IDD 电源电流 VDD(3) 800 1200 mA
IDDA 电源电流 VDDA(3) 1000 1200 mA
IDDA 电源电流 VDDA(3) 单宏模式 500 600 mA
IOFFSET 电源电流 VOFFSET(4)(5) 20 25 mA
IBIAS 电源电流 VBIAS(4)(5) 2.5 4.0 mA
IRESET 电源电流 VRESET(5) –9.3 –6.9 mA
功率 - 典型值
PDD 电源功率耗散 VDD(3) 1440 2437.5 mW
PDDA 电源功率耗散 VDDA(3) 1620 2340 mW
PDDA 电源功率耗散 VDDA(3) 单宏模式 900 1170 mW
POFFSET 电源功率耗散 VOFFSET(4)(5) 230 367.5 mW
PBIAS 电源功率耗散 VBIAS(4)(5) 43.2 70.3 mW
PRESET 电源功率耗散 VRESET(5) 107.8 152.25 mW
PTOTAL 电源功率耗散总计 3441 5367.55 mW
LVCMOS 输入
IIL 低电平输入电流(6) VDD = 1.95V,VI = 0V -100 nA
IIH 高电平输入电流(6) VDD = 1.95V,VI = 1.95V 135 μA
LVCMOS 输出
VOH 直流输出高电压(7) IOH = -2mA 0.8 × VDD V
VOL 直流输出低电压(7) IOL = 2mA 0.2 × VDD V
接收器眼图特性
A1 最小数据眼图张开度(8)(9) 100 600 mV
最小时钟眼图张开度(8)(9) 295 600 mV
A2 最大数据信号摆幅(8)(9) 600 mV
X1 最大数据眼图闭合度(8) 0.275 UI
X2 最大数据眼图闭合度(8) 0.4 UI
| tDRIFT | 在训练模式之间时钟和数据之间的漂移 20 ps
电容
CIN 输入电容 LVCMOS f = 1MHz 10 pF
CIN 输入电容 LSIF(低速接口) f = 1MHz 20 pF
CIN 输入电容 HSSI(高速串行接口) f = 1MHz 20 pF
COUT 输出电容 f = 1MHz 10 pF
运行 DMD 需要连接以下所有电源:VDD、VDDA、VOFFSET、VBIAS 和 VRESET。运行 DMD 需要所有 VSS 连接。
所有电压值均与接地引脚 (VSS) 相关。
为了防止电流过大,电源电压差值 | VDDA – VDD | 必须小于指定的限值。
为了防止电流过大,电源电压差值 | VBIAS – VOFFSET | 必须小于指定的限值。
200µs 内基于 3 次全局复位的电源功率耗散。
LVCMOS 输入规格针对引脚 DMD_DEN_ARSTZ。
LVCMOS 输出规格针对引脚 LS_RDATA_A 和 LS_RDATA_B。
请参阅 HSSI 眼图特性“接收器眼罩 (1e-12 BER)”。
在“建议运行条件”中定义