图 6-1 DMD 热测试点

微镜阵列温度无法直接测量，因此必须根据封装外部的测量点、封装热阻、电功率和照明热负荷进行分析计算。以下公式展示了阵列温度与基准陶瓷温度（如上所示的热测试 TP1）之间的关系。

其中

• T_ARRAY = 计算得出的阵列温度 (°C)
• T_CERAMIC = 测得的陶瓷温度 (°C)（TP1 位置）
• R_{ARRAY-TO-CERAMIC} = 第 6.5 节 中指定的阵列至陶瓷 TP1 的封装热阻（°C/瓦）
• Q_ARRAY = 阵列上的总 DMD 功率 (W)（电气 + 吸收）
• Q_ELECTRICAL = 标称电功率 (W)
• Q_INCIDENT = 入射照明光功率 (W)
• Q_ILLUMINATION =（DMD 平均热吸收率 × Q_INCIDENT）(W)
• DMD 平均热吸收率 = 0.54

DMD 的电功率耗散是可变的，取决于电压、数据速率和工作频率。计算阵列温度时使用的标称电功率耗散为 2.5W。从光源吸收的功率是可变的，具体取决于微镜的工作状态和光源的强度。上面显示的公式对于单芯片或多芯片 DMD 系统有效。它假设有源阵列上的照明分布为 83.7%，阵列边界上的照明分布为 16.3%。

以下是典型投影应用的示例计算：