ZHCSRZ7 april 2023 DLP550HE
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7.6 微镜阵列温度计算
图 7-1 DMD 热测试点微镜阵列温度无法直接测量，因此必须根据封装外部的测量点、封装热阻、电功率和照明热负荷进行分析计算。以下公式提供了阵列温度与基准陶瓷温度（图 7-1 中的热测试 TP1）之间的关系：
方程式 1. TARRAY = TCERAMIC + (QARRAY × RARRAY-TO-CERAMIC)
方程式 2. QARRAY = QELECTRICAL + QILLUMINATION
其中
- TARRAY = 计算得出的阵列温度 (°C)
- TCERAMIC = 测得的陶瓷温度 (°C)（TP1 位置）
- RARRAY-TO-CERAMIC = 热性能信息 中指定的阵列至陶瓷 TP1 的封装热阻（°C/瓦）
- Qarray = 阵列上的总 DMD 功率 (W)（电气 + 吸收）
- QELECTRICAL = 标称电功率 (W)
- QINCIDENT = 入射照明光功率 (W)
- QILLUMINATION =（DMD 平均热吸收率 × QINCIDENT）(W)
- DMD 平均热吸收率 = 0.42
DMD 的电功率耗散是可变的，取决于电压、数据速率和工作频率。计算阵列温度时使用的标称电功率为 0.8W。从光源吸收的功率是可变的，取决于微镜的工作状态和光源的强度。上面显示的公式对于单芯片或多芯片 DMD 系统有效。它假设有源阵列上的照明分布为 83.7%，阵列边界上的照明分布为 16.3%。
以下是典型投影应用的示例计算：
方程式 3. QINCIDENT = 25W (measured)
方程式 4. TCERAMIC = 55.0°C (measured)
方程式 5. QELECTRICAL = 0.8 W
方程式 6. QARRAY = 0.8W + (0.42 × 25 W) = 11.3 W
方程式 7. TARRAY = 55.0°C + (11.3W × 0.6°C/W) = 61.8°C