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ZHCSRZ7 april 2023 DLP550HE

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

FYA|149
- MCLG018B

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsrz7_oa

6.4 建议的工作条件

在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）。在该表定义的限值内运行器件时，可实现本数据表中指定的器件的功能性能。在高于或低于这些限值的条件下运行器件时，不暗示任何性能水平。

		最小值	标称值	最大值	单位
电源电压
V_CC	LVCMOS 内核逻辑的电源电压⁽¹⁾	3.0	3.3	3.6	V
V_CCI	LVDS 接口的电源电压⁽¹⁾⁽²⁾	3.0	3.3	3.6	V
V_CC2	微镜电极和 HVCMOS 电压⁽¹⁾	7.25	7.5	7.75	V
V_MBRST	微镜偏置/复位电压	-27		26.5	V
LVCMOS 接口
V_IH	输入高电压⁽³⁾	1.7	2.5	V_CC+0.3	V
V_IL	输入低电压⁽³⁾	-0.3		0.7	V
I_OH	高电平输出电流			–30	mA
I_OL	低电平输出电流			25	mA
t_PWRDNZ	PWRDNZ 脉冲宽度⁽⁴⁾	10			ns
SCP 接口
ƒ_SCPCLK	SCP 时钟频率⁽⁵⁾	50		500	kHz
t_{SCP_SKEW}	有效 SCPDI 与 SCPCLK 上升沿之间的时间⁽⁶⁾	-300		300	ns
t_{SCP_DELAY}	有效 SCPDO 与 SCPCLK 上升沿之间的时间⁽⁶⁾			960	ns
t_{SCP_NEG_ENZ}	SCPENZ 的下降沿和 SCPCLK 的上升沿之间的时间。⁽⁵⁾	6/ƒ_DCLK			s
t_{SCP_OUT_EN}	SCPENZ 之后 SCP 输出缓冲器恢复（从三态）所需的时间			192/ƒ_DCLK	s
t_{SCP_PW_ENZ}	SCPENZ 无效脉冲宽度（高电平）	1			1/ƒ_scpclk
t_r	上升时间（20% 至 80%）⁽⁶⁾			200	ns
t_f	下降时间（80% 至 20%）⁽⁶⁾			200	ns
LVDS 接口
ƒ_CLOCK	LVDS 接口的时钟频率，DCLK_A 和 DCLK_B⁽⁷⁾		200	230	MHz
\|V_ID\|	输入差分电压（绝对值）⁽⁷⁾	100	400	600	mV
V_CM	共模电压⁽⁷⁾		1200		mV
V_LVDS	LVDS 电压⁽⁷⁾	0		1900	mV
t_r	上升时间（20% 至 80%）⁽⁸⁾	100		400	ns
t_f	下降时间（80% 至 20%）⁽⁸⁾	100		400	ns
t_{LVDS_RSTZ}	LVDS 接收器从 PWRDNZ 恢复所需的时间			10	ns
Z_IN	内部差分端接电阻	95		105	Ω
Z_LINE	线路差分阻抗（PWB/引线）	85	90	95	Ω
环境
T_ARRAY	长期工作时的阵列温度⁽⁹⁾⁽¹⁰⁾⁽¹¹⁾⁽¹²⁾⁽¹³⁾	10		40 至 70	°C
T_ARRAY	短期工作（最长 500 个小时）时的阵列温度⁽¹⁰⁾⁽¹⁴⁾	0		10	°C
T_WINDOW	工作时的窗口温度⁽¹⁵⁾			85	°C
\|T_DELTA\|	窗口边沿上的任意点与陶瓷测试点 TP1 之间的绝对温度差值⁽¹⁶⁾			14	°C
T_DP-AVG	平均露点温度（非冷凝）⁽¹⁷⁾			28	°C
T_DP-ELR	高露点温度范围（非冷凝）⁽¹⁸⁾	28		36	°C
CT_ELR	高露点温度范围内的累积时间			24	月
灯照明
ILL_UV	照明，波长 < 395nm⁽⁹⁾		0.68	2	mW/cm²
ILL_VIS	照明，波长介于 395nm 和 800nm 之间⁽¹³⁾	受到热限制			W/cm²
ILL_IR	照明，波长 > 800nm			10	mW/cm²
固态照明
ILL_UV	照明，波长 < 410nm⁽⁹⁾			3	mW/cm²
ILL_VIS	照明，波长介于 410nm 和 800nm 之间⁽¹³⁾	受到热限制			W/cm²
ILL_IR	照明，波长 > 800nm			10	mW/cm²

(1) 所有电压均以公共接地 V_SS 为基准。DMD 正常运行需要 V_CC、V_CCI 和 V_CC2 电源。还必须连接 V_SS (GND)。

(2) 为了防止电流过大，电源电压差值 |V_CCI – V_CC| 必须小于指定的限值。请参阅节 9、图 9-1 和图 9-1。

(3) 低速接口是 LPSDR，遵循 JEDEC 标准第 209B 号“低功耗双倍数据速率 (LPDDR)”JESD209B 中的“电气特性和交流/直流工作条件”表中的规定。V_IH 和 V_IL 的测试条件。

频率 = 60MHz。最大上升时间 = 2.5ns（20% 至 80%）。
频率 = 60MHz。最大下降时间 = 2.5ns（80% 至 20%）。

(4) PWRDNZ 输入引脚将 SCP 复位并禁用 LVDS 接收器。PWRDNZ 输入引脚覆盖 SCPENZ 输入引脚并使 SCPDO 输出引脚处于三态。

(5) SCP 时钟是选通时钟。占空比必须为 50% ± 10%。SCP 参数与 DCLK 的频率相关。

(6) 请参阅图 6-2

(7) 请参阅节 6.8和图 6-6 中的 LVDS 时序要求。

(8) 请参阅图 6-5“LVDS 波形要求”。

(9) 如果该 DMD 同时暴露于最大温度和 UV 照明（请参阅节 6.4），则会缩短器件寿命。

(10) 阵列温度无法直接测量，必须通过图 7-1 所示测试点 (TP1) 温度测量并使用节 7.6中的热性能表进行分析计算。

(11) 根据图 6-1，最大工作阵列温度应根据 DMD 在最终应用中经历的微镜着陆占空比进行降额。有关微镜着陆占空比的定义，请参阅节 7.7。

(12) 长期定义为器件的使用寿命。

(13) DMD 上可能入射的最大光功率受最大光功率密度和微镜阵列温度的限制。

(14) 短期是器件使用寿命期间的总累积时间。

(15) 图 7-1 中显示的热测试点 TP2、TP3、TP4 和 TP5 的位置旨在测量最高窗口边沿温度。对于大多数应用，所示位置代表最高窗口边沿温度。如果特定应用导致窗口边沿上的其他点处于更高的温度，则应将测试点添加到这些位置。

(16) 温度差值是陶瓷测试点 1 (TP1) 和窗口边沿上任意位置（如图 7-1 所示）之间的最大差值。图 7-1 中显示的窗口测试点 TP2、TP3、TP4 和 TP5 旨在产生最坏情况下的温度差值。如果特定应用导致窗口边沿上的另一个点产生更大的温度差值，则应使用该点。

(17) 器件不在“高露点温度范围”内的随时间变化的平均值（包括存储和运行）。

(18) 在存储和运行期间，暴露于高范围内的露点温度应限制在 CT_ELR 的总累积时间以内。

图 6-1 最大建议阵列温度 - 降额曲线