ZHCSS22 april 2023 DLP670RE
PRODUCTION DATA
最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | ||
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电源电压(1)(2) | |||||
VCC | LVCMOS 内核逻辑的电源电压 | 3.15 | 3.3 | 3.45 | V |
VCCI | LVDS 接收器的电源电压 | 3.15 | 3.3 | 3.45 | V |
VOFFSET | HVCMOS 和微镜电极的电源电压(2) | 8.25 | 8.5 | 8.75 | V |
VBIAS | 微镜电极的电源电压 | 15.5 | 16 | 16.5 | V |
VRESET | 微镜电极的电源电压 | –9.5 | -10 | -10.5 | V |
|VCCI–VCC| | 电源电压变化(绝对值)(3) | 0 | 0.3 | V | |
|VBIAS–VOFFSET| | 电源电压变化(绝对值)(4) | 8.75 | V | ||
LVCMOS 引脚 | |||||
VIH | 高电平输入电压(5) | 1.7 | 2.5 | VCC + 0.15 | V |
VIL | 低电平输入电压(5) | -0.3 | 0.7 | V | |
IOH | VOH = 2.4V 时的高电平输出电流 | -20 | mA | ||
IOL | VOL = 0.4V 时的低电平输出电流 | 15 | mA | ||
tPWRDNZ | PWRDNZ 脉冲宽度(6) | 10 | ns | ||
SCP 接口 | |||||
ƒSCPCLK | SCP 时钟频率(7) | 500 | kHz | ||
tSCP_DS | SCPDI 时钟建立时间(SCPCLK 下降沿之前)(8) | 800 | ns | ||
tSCP_DH | SCPDI 保持时间(SCPCLK 下降沿之后)(8) | 700 | ns | ||
tSCP_BYTE_INTERVAL | 连续字节之间的时间 | 1 | µs | ||
tSCP_NEG_ENZ | SCPENZ 的下降沿和 SCPCLK 的第一个上升沿之间的时间。 | 30 | ns | ||
tSCP_PW_ENZ | SCPENZ 无效脉冲宽度(高电平) | 1 | µs | ||
tSCP_OUT_EN | SCPENZ 之后 SCP 输出缓冲器恢复(从三态)所需的时间 | 1.5 | ns | ||
ƒclock | SCP 电路时钟振荡器频率 (9) | 9.6 | 11.1 | MHz | |
LVDS 接口 | |||||
ƒclock | LVDS 接口的时钟频率,DCLK(所有通道) | 400 | 430 | MHz | |
|VID| | 输入差分电压(绝对值)(10) | 200 | 400 | 600 | mV |
VCM | 共模(10) | 1200 | mV | ||
VLVDS | LVDS 电压(10) | 0 | 2000 | mV | |
tLVDS_RSTZ | LVDS 接收器从 PWRDNZ 恢复所需的时间 | 10 | ns | ||
ZIN | 内部差分端接电阻 | 95 | 105 | Ω | |
ZLINE | 线路差分阻抗(PWB/引线) | 90 | 100 | 110 | Ω |
环境 | |||||
TARRAY | 长期工作时的阵列温度(11)(12)(13)(14) | 10 | 40 至 70(14) | °C | |
短期工作(最长 500 个小时)时的阵列温度(12)(15) | 0 | 10 | |||
TWINDOW | 工作时的窗口温度(16) | 85 | °C | ||
T|DELTA | | 窗口边沿上的任意点与陶瓷测试点 TP1 之间的绝对温度差值。(17) | 15 | °C | ||
TDP-AVG | 平均露点温度(非冷凝)(18) | 28 | °C | ||
TDP-ELR | 高露点温度范围(非冷凝)(19) | 28 | 36 | °C | |
CTELR | 高露点温度范围内的累积时间 | 24 | 月 | ||
灯 | |||||
ILLUV | 照明,波长 < 395nm(11) | 0.68 | 2.0 | mW/cm2 | |
ILLVIS | 照明,波长介于 395nm 和 800nm 之间(20) | 29.3 | W/cm2 | ||
ILLIR | 照明,波长 > 800nm | 10 | mW/cm2 | ||
固态 | |||||
ILLUV | 照明,波长 < 410nm(11) | 0.45 | mW/cm2 | ||
ILLVIS | 照明,波长介于 410nm 和 800nm 之间(20) | 34.7 | W/cm2 | ||
ILLIR | 照明,波长 > 800nm | 10 | mW/cm2 |