图 6-1 DMD 热测试点

微镜阵列温度可以根据封装外部的测量点、封装热阻、电功率和照明热负荷进行分析计算。以下公式提供了微镜阵列温度与基准陶瓷温度之间的关系：

其中

• T_ARRAY = 计算得出的阵列温度 (°C)
• T_CERAMIC = 测得的陶瓷温度 (°C)（TP1 位置）
• R_{ARRAY-TO-CERAMIC} = 阵列至陶瓷 TP1 的封装热阻（°C/瓦）
• Q_ARRAY = 阵列上的总 DMD 功率 (W)（电气 + 吸收）
• Q_ELECTRICAL = 标称电功率
• Q_INCIDENT = 到 DMD 的总入射光功率
• Q_ILLUMINATION =（DMD 平均热吸收率 × Q_INCIDENT）
• DMD 打开状态平均热吸收率 = 0.25
• DMD 关闭状态平均热吸收率 = 0.40

DMD 的电功率耗散 (Q_ELECTRICAL) 是可变的，具体取决于每个特定应用系统的电压、数据速率和工作频率。应当在每个特定应用中测量 Q_ELECTRICAL，以确定要在下面公式中使用的正确 Q_ELECTRICAL 值。为了计算阵列温度，下面示例计算中使用的 DMD 的功率耗散值 (Q_ELECTRICAL) 为 6.2W（典型值）。从光源吸收的功率是可变的，具体取决于微镜的工作状态和光源的强度。上面显示的公式对于系统中的每个 DMD 芯片有效。它假设有源阵列上的照明分布为 91.0%，阵列边界上的照明分布为 9.0%。

关闭状态和打开状态对应的计算示例如下所示。