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ZHCSRS9 December 2024 DLP991U

PRODUCTION DATA

5.6 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内和电源电压下测得（除非另有说明）

符号	参数⁽²⁾⁽³⁾	测试条件⁽²⁾	最小值	典型值	最大值	单位
电流 - 典型值
I_DD	电源电流 V_DD⁽⁴⁾			1.5	1.9	A
I_DDA	电源电流 V_DDA⁽⁴⁾			1.4	1.9	A
I_OFFSET	电源电流 V_OFFSET⁽⁵⁾⁽⁶⁾			37	50	mA
I_BIAS	电源电流 V_BIAS⁽⁵⁾⁽⁶⁾			12.0	50	mA
I_RESET	电源电流 V_RESET⁽⁶⁾		-50	-25		mA
功率 - 典型值
P_DD	电源功率耗散 V_DD⁽⁴⁾			2710	3710	mW
P_DDA	电源功率耗散 V_DDA⁽⁴⁾			2500	3600	mW
P_OFFSET	电源功率耗散 V_OFFSET⁽⁵⁾⁽⁶⁾			370	525	mW
P_BIAS	电源功率耗散 V_BIAS⁽⁵⁾⁽⁶⁾			216	925	mW
P_RESET	电源功率耗散 V_RESET⁽⁶⁾			350	725	mW
P_TOTAL	电源功率耗散总计			6146	9485	mW
LVCMOS 输入
I_IL	低电平输入电流⁽⁷⁾	V_DD = 1.95V，V_I = 0V	-100			nA
I_IH	高电平输入电流⁽⁷⁾	V_DD = 1.95V，V_I = 1.95V			135	μA
LVCMOS 输出
V_OH	直流输出高电压⁽⁸⁾	I_OH = -2mA	0.8 × V_DD			V
V_OL	直流输出低电压⁽⁸⁾	I_OL = 2mA			0.2 × V_DD	V
接收器眼图特性
A1	数据通道的最小眼图张开度⁽⁹⁾		100			mV
A1	CLK 通道的最小眼图张开度⁽⁹⁾		300			mV
A2	最大信号摆幅⁽⁹⁾⁽¹⁰⁾				600	mV
X1	最大眼图闭合⁽⁹⁾				0.275	UI
X2	最大眼图闭合⁽⁹⁾				0.4	UI
\| t_DRIFT \|	在训练模式之间时钟和数据之间的漂移				20	ps
电容
C_IN	输入电容 LVCMOS	f = 1MHz			30	pF
C_IN	输入电容 LSIF（低速接口）	f = 1MHz			20	pF
C_IN	输入电容 HSSI（高速串行接口）- 差分 - 时钟和数据引脚	f = 1MHz			5	pF
C_OUT	输出电容	f = 1MHz			10	pF

(2) 运行 DMD 需要连接以下所有电源：V_DD、V_DDA、V_OFFSET、V_BIAS 和 V_RESET。运行 DMD 需要所有 V_SS 连接。

(3) 所有电压值均以接地引脚 (V_SS) 为基准。

(4) 为了防止电流过大，电源电压差值 | V_DDA – V_DD | 必须小于指定的限值。

(5) 为了防止电流过大，电源电压差值 | V_BIAS – V_OFFSET | 必须小于指定的限值。

(6) 基于在 90μs 内进行 1 次相位复位、1 次阵列加载和 1 次全局复位所产生的功率耗散

(7) LVCMOS 输入规格针对引脚 DMD_DEN_ARSTZ。

(8) LVCMOS 输出规格针对引脚 LS_RDATA_A 和 LS_RDATA_B。

(9) 请参阅图 5-11“接收器眼罩 (1e-12 BER)”。

(10) 在节 5.4中定义。