在薄型和细间距表面贴装封装中实现集成电路时，必须考虑功率耗散。许多系统相关问题会影响功率耗散：热耦合、气流、增加散热器和对流表面，以及存在其他发热元件。通常，有三种基本方法可用于提高热性能：

• 增强 PCB 的散热能力
• 通过在封装顶部提升散热能力，降低芯片与环境之间的热阻
• 添加或

  增强

  系统中的气流

DLPA3082 的建议结温为运行期间低于 120°C。与结温 T_junction 相关的公式如下所示：

其中 T_ambient 是环境温度，P_diss 是总功率耗散，而 R_θJA 是结至环境的热阻。

总功率耗散可能会因 DLPA3082 应用而异。DLPA3082 中的主要功耗来源通常是：

• 降压转换器
• LDO

对于降压转换器，功率耗散由以下公式给出：

其中 η_buck 是降压转换器的效率，P_in 是提供给降压转换器输入的功率，而 P_out 是提供给降压转换器负载的功率。对于降压转换器 PWR1,2,6，使用图 6-6 中的曲线可以确定效率。

对于 LDO，功率耗散由以下公式给出：

其中 V_in 是输入电源电压，V_out 是 LDO 的输出电压，而 I_load 是 LDO 的负载电流。LDO 上的压降 (V_in–V_out) 可能相对较大；即使是较小的负载电流，会导致显著的功率耗散。对于这种情况，通用降压转换器可能是更高效的解决方案。

LDO DMD 为升压转换器供电，而升压转换器为 DMD 提供高电压，即 V_BIAS、V_OFS 和 V_RST。这些线路上的电流负载最大可以增加到 I_{load, max} = 10mA。假定升压转换器的效率 η_boost 为 80%，则最大升压转换器功率耗散 P_{diss_DMD_boost, max} 的计算方式如下：

通常，升压转换器的功率耗散可以忽略不计。但是，在高电源电压的情况下，必须考虑 LDO DMD 的功率耗散 P_{diss_LDO_DMD}。LDO 在最坏情况下的负载电流由以下方式给出：

其中 LDO 的输出电压为 V_{DRST_5P5V} = 5.5V。

当输入电源电压为 19.5V 时，LDO DMD 在最坏情况下的功率耗散约为 1.5W。对于您的特定应用，请检查 LDO 电流电平。因此，DLPA3082 的总功率耗散可以表示为：

以下示例根据已知信息计算最高环境温度和结温。

如果假设总功耗 P_{diss_DLPA3082} = 2.5W、T_junction,max = 120°C 且 R_θJA = 7°C/W（请参阅节 5.4），则最高环境温度可以使用方程式 1 来计算。

如果总功率耗散和环境温度已知：

结温可通过以下公式计算得出：

如果 DLPA3082 在环境温度下的总功率耗散无法产生可接受的结温，也就是 <120°C，可以采用两种方法：

1. 使用更大的散热器或增强气流来降低 R_θJA。
2. 降低 DLPA3082 的功率耗散：
   • 使用外部降压转换器，而不是内部通用降压转换器。
   • 降低降压转换器的负载电流。