ZHCSWL6A June 2024 – August 2024 DLPA3085
PRODUCTION DATA
选择 FET 时,需要考虑与其漏源导通电阻 RDS(ON) 相关的两个方面。首先,对于照明降压转换器的高侧 FET,RDS(ON) 是过流检测中的一个因素。其次,对于其他四个 FET,功率耗散是选择 FET RDS(ON) 时的一个重要因素。
为了检测过流情况,DLPA3085 会在高侧 FET 导通时测量其漏源压降。当达到阈值 VDC-Th = 185mV(典型值)时,过流检测电路会触发并关闭高侧 FET。因此,触发此过流检测的实际电流 IOC 如下所示:
例如,CSD17510Q5A NexFET 在 125°C 时的 RDS(ON) 为 7mΩ。使用此 FET 时,过流水平为 26A。对于 16A 应用,该 FET 是一个不错的选择。
对于低侧 FET 和三个 LED 选择 FET,RDS(ON) 的选择主要取决于传导损耗引起的功率损耗。这些 FET 的功耗由下式给出:
IDS 是流经相应 FET 的电流。RDS(ON) 越小,功耗越低。例如,CSD17501Q5A 具有 RDS(ON) = 3mΩ。假设将该 FET 用作 LED 选择开关,在漏源电流为 16A 且占空比为 25% 的情况下,该 FET 的功耗约为 0.2W。