对于开关电源，布局是设计中的重要一步，尤其是在涉及高峰值电流和高开关频率的情况下。如果布局时不够仔细，稳压器可能会出现稳定性问题和 EMI 问题。因此，对于高电流路径及其返回电源地路径，应使用宽而短的布线。对于 DMD 高压稳压器，将输入电容器、输出电容器以及电感器尽可能靠近 IC 放置。为了大大减少不同降压转换器间的接地噪声耦合，应将它们的地分开并在器件下方的中心位置进行连接。对于 DMD 高压稳压器，VRST 和 VOFS 的建议电容值为 1µF，而 VBIAS 的建议电容值为 470nF。电感值为 10µH。

降压转换器的高电流集中在引脚 VIN、SWITCH 和 PGND 附近（图 9-1）。引脚 VIN、PGNDm 和 FB 上的电压为直流电压，而引脚 SWITCH 具有介于 VIN 和 PGND 之间的开关电压。如果引脚 63 至 64 之间的 FET 闭合，则红线表示电流，而蓝线表示引脚 62 至 63 之间的 FET 闭合时的电流。

这些路径承载的电流最大，必须尽可能短。

对于 LDO DMD，在 LDO 输入端并联一个 1µF 电容器和一个 10µF 电容器，在输出端使用一个 10µF 电容器。确保电容器的额定电压等于或大于应用中电容器上所施加电压的两倍。

对于 LDO 降压转换器，在 LDO 输入端使用一个 1µF 电容器，在输出端使用一个 10µF 电容器。确保电容器的额定电压等于或大于应用中电容器上所施加电压的两倍。

图 9-1 降压转换器中的高交流电流路径

到 VIN 引脚的布线承载高交流电流；因此，该布线应具有低电阻，以防布线上出现压降。此外，将去耦电容器尽可能靠近 VIN 引脚放置。

SWITCH 与 VIN 或 GND 交替连接。这意味着，SWITCH 引脚上存在幅度为 VIN 且包含高频的方波电压。如果处理不当，这可能会导致 EMI 问题。为了减少 EMI 问题，应在 SWITCH 引脚处放置一个缓冲器网络（RSN6 和 CSN6），以防止和抑制开关瞬间产生不必要的高频振铃。

PGND 引脚会吸收高电流。将 PGND 引脚连接到星形接地点，以便它不会干扰其他接地连接。

FB 引脚是稳压输出电压的检测连接，这是一种直流电压；此引脚上没有电流。FB 引脚上的电压会与内部基准电压进行比较，以控制环路。在负载处进行 FB 连接，以便 I•R 压降不会影响检测到的电压。